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반도체 후공정 기업(OSAT) LB세미콘은 4일 파운드리(반도체 위탁생산) 기업 DB 하이텍과 협력해 고전력소자 제품용 재배선(RDL) 개선 제품 개발에 나선다고 밝 혔다.

양사는 내년 1분기 양산을 목표로 RDL 기술 개발을 진행하고 있다. 현재 제품 신뢰성을 높이는 공정에 집중하고 있으며, 이를 위해 제품 구조 개선과 소재를 변경했다.

LB세미콘은 원가 절감을 목표로 하는 전력반도체(PMIC) RDL 개선 제품 개발에 집중한다. 이 과정에서 관계사인 LB루셈이 DB하이텍과의 협업에 참여해 백사이 드(Back Side) 공정을 담당한다. LB세미콘은 프런트 사이드(Front Side) 공정을 맡아 시너지를 낼 계획이다.

구체적으로는 LB세미콘이 웨이퍼 표면에 금속층(구리 등)을 증착해 전기적으로 연결하는 전극 형성을 진행한다. LB루셈은 웨이퍼 후면에 대한 그라인딩 및 금 속 증착, 테스트 등을 진행할 예정이다.

LB세미콘은 차세대 전력반도체로 꼽히는 실리콘카바이드(SiC) 및 질화갈륨(GaN ) 제품 개발에도 참여할 예정이다. 현재 DB하이텍은 8인치 SiC·GaN 반도 체를 생산하기 위한 신사업을 추진 중이다. LB세미콘도 패키지·테스트 역량을 확보해 신뢰성과 기술력을 높이겠다는 방침이다.

SiC·GaN 반도체는 기존 실리콘 웨이퍼 기반 PMIC 대비 고내열·고 전압 특성을 갖춘 제품으로 꼽힌다. 에너지저장장치(ESS)나 인공지능(AI) 인프 라 등에 주로 활용될 것으로 기대받고 있다.

LB세미콘 관계자는 "DB하이텍과의 기술 협력을 통해 미래 성장 동력을 확 보하고, 급성장하는 차세대 고부가 전력 반도체 시장을 주도할 수 있는 기반을 마련하게 됐다"고 말했다.

강경주 기자 qurasoha@hankyung.com

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