삼성전자가 파운드리(반도체 위탁생산) '2세대 3나노미터(nm)' 공정 명칭을 '2나노'로 변경하기로 결정했다. 즉, 연내 양산을 목표로 하던 2세대 3나노 공정을 앞으로 2나노로 부른다는 방침이다.

5일 반도체 업계에 따르면 삼성전자는 올해 초부터 고객사 및 협력사에게 2세대 3나노 공정 명칭을 2나노로 변경한다고 공지했다. 작년 말부터 삼성전자 2나노 명칭 변경과 관련돼 업계에 이야기가 돌았지만, 최근 공식적으로 명칭 변경이 확정된 것이다.

팹리스 업계 관계자는 "삼성전자로부터 2세대 3나노를 2나노로 변경한다고 안내 받았다"라며 "작년에 삼성전자 파운드리에서 2세대 3나노로 계약한 것도 2나노로 명칭을 바꿔서 최근에 계약서를 다시 작성했다"고 말했다.

최근 삼성전자가 일본 AI 스타트업 PFN(Preferred Networks)의 2나노 공정 AI 가속기 칩을 수주한 것도 사실상 2세대 3나노 공정인 것으로 파악된다. 해당 칩은 2025년 양산을 목표로 한다.

삼성전자는 2022년 6월 말께 세계 최초로 게이트올어라운드(GAA) 공정 기반으로 3나노 칩 양산을 시작했고, 올해 2세대 3나노 공정 양산, 2025년 2나노 공정 양산을 계획하고 있다. 이번에 2나노 공정으로 명칭이 통합됨에 따라 삼성전자는 빠르면 올해 하반기부터 2나노 칩 양산을 시작할 것으로 보인다.

반도체 업계 관계자는 "이미 삼성전자의 2세대 3나노(2나노) 프로세스 디자인 키트(PDK)가 나왔기 때문에 올해 무리해서 양산한다면 충분히 할 상황이 될 것"이라며 "파운드리는 고객사 요청에 따라 양산을 시작하는 것이지, 하고 싶다고 할 수 있는 것은 아니다"라고 말했다.

삼성전자의 공정 명칭 변경은 파운드리 마케팅 측면에서 유리할 수 있다는 업계의 해석이 나온다. 또 최근 파운드리 업계의 PR 트렌드이기도 하다.

앞서 2020년 삼성전자가 7나노 공정에서 5나노 공정으로 넘어갈 당시에도 2세대 7나노 공정을 5나노로 명칭을 변경한 바 있다. 삼성전자 7나노는 2019년 세계 최초로 극자외선(EUV) 기술을 사용한 공정이었다. 이를 더 안정성 있게 만든 결과 트랜지스터 사이즈를 줄일 수 있었고, 2세대 7나노를 5나노로 명칭을 변경한 것이다.

업계 관계자는 "삼성전자 3나노는 GAA으로는 초판 공정이었는데, 최적화를 통해 트랜지스터 사이즈를 줄이게 되면서 2나노로 명칭을 바꾼 것으로 보인다"라며 "이것이 마케팅 또는 프로모션일 수 있겠지만, 한편으로는 고도화 작업의 성과 중 하나로 볼 수 있다"고 설명했다.

올해 말 양산을 시작하는 인텔 18A(1.8나노급) 공정 또한 비슷한 방식이다. 인텔은 최근 파운드리 행사에서 올해 20A(2나노급) 공정과 더불어 내년으로 계획했던 18A 공정을 앞당겨 올해 말부터 시작한다고 밝혔다.

업계 관계자는 "업계에서는 인텔 1.8나노, TSMC 2나노 트랜지스터가 이전 공정과 비교해 큰 차이가 있다고 보지 않는다"라며 "첨단 공정에서 후발주자인 인텔은 양산 로드맵에서 2나노에 다음 1.8 공정을 시작한다는 숫자 마케팅을 시작하면서 파운드리 업계의 공정 숫자 경쟁이 확산됐다"고 진단했다.