한진만 삼성전자 디바이스솔루션( DS)부문 미주총괄(부사장)은 11일(현지시간) 미국 라스베이거스에서 기자들과 만나 “ HBM의 올해와 내년 생산량을 전년 대비 각각 2.5배 늘릴 것”이라고 말했다. 삼성 고위 관계자가 내년 HBM 투자에 대해 구체적인 수치를 언급한 건 이번이 처음이다.
HBM은 D램 여러 개를 수직으로 쌓아 데이터 용량을 확대하고 처리 속도를 높인 반도체다. 엔비디아 그래픽처리장치( GPU)와 함께 AI 서비스의 필수재로 불리는 ‘ AI 가속기’(대규모 데이터 학습·추론에 특화한 반도체 패키지)에 장착된다.
삼성전자가 공격적인 투자를 결정한 까닭은 AI 기술이 고도화해 HBM 등 고사양 메모리 반도체 수요가 증가하고 있기 때문이다. D램은 AI 가속기 안에서 중앙처리장치( CPU)나 GPU에 붙어 대용량 데이터를 처리한다. AI 기술 확산으로 처리해야 할 데이터가 늘면서 HBM 수요도 기하급수적으로 증가하고 있다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 HBM시장 규모는 올해 39억달러에서 2027년 89억달러로 급증할 것으로 전망된다. 한 부사장은 “업황에 흔들리지 않고 꾸준하게 투자 규모를 유지해 시장 확대에 대응할 것”이라고 강조했다.
올해 반도체 업황과 관련해선 “흐름이 좋아지고 있다”고 분석했다. 온디바이스 AI 확산으로 새로운 수요가 생기는 것도 긍정적으로 평가됐다. 한 부사장은 “2025년부터는 반도체 수요가 공급을 초과할 것”이라고 전망했다.
삼성전자 DS부문은 ‘ CES 2024’에서 HBM3E(4세대 HBM)와 컴퓨트익스프레스링크( CXL) 메모리 모듈 제품인 ‘ CMM-D’ 등 AI 시대를 주도할 차세대 반도체 제품을 전시했다. 온디바이스 AI 시대에 대응하기 위해 기기 내 데이터 처리 속도를 높인 반도체 저지연광대역폭( LLW) D램 등도 공개했다.
라스베이거스=황정수 기자 hjs@ hankyung.com
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