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[머니S 김동욱 기자]

글로벌 메모리 반도체 1·2위 기업인 삼성전자와 SK하이닉스가 앞다퉈 신제품 개발에 성공했다. 기술 격차를 벌려 업계 선두 위치를 유지하겠다는 의도다.

2일 업계에 따르면 삼성전자는 최근 모바일 장치 등에 탑재되는 저소비전력 D램인 LPDDR을 기반으로 7.5Gbps LPCAMM을 업계 최초로 개발했다. 주요 고객사와 차세대 시스템에서 성능 검증을 거친 뒤 내년 상용화될 계획이다.

LPCAMM은 LPDDR 패키지 기반 모듈 제품이다. 기존 So-DIMM(인쇄회로기판 양면에 D램이 장착된 모듈) 대비 성능과 전력 효율이 각각 50%, 70% 개선된 게 특징이다. 인공지능(AI), 고성능 컴퓨팅(HPC), 서버, 데이터센터 등 응용처가 확대될 것으로 삼성전자는 기대하고 있다.

삼성전자는 지난 7월 업계 최초로 32Gbps GDDR7 D램을 개발하기도 했다. 이 제품은 기존 DDR6 대비 데이터 처리 속도는 1.4배, 전력효율은 20% 향상됐다. 32Gbps GDDR7 D램을 그래픽 카드에 탑재하면 최대 초당 1.5TB의 데이터를 처리할 수 있다. 30GB 용량의 UHD 영화 50편을 1초 만에 처리할 수 있는 속도다.

SK하이닉스는 지난 8월 세계 최고 용량의 모바일 D램인 LPDDR5X 24GB을 양산했다. 차세대 공정인 HKMG 공정을 도입, 업계 최고 수준의 전력효율과 성능을 동시에 구현했다는 게 회사 설명이다. 이 제품은 국제반도체표준화기구(JEDEC)가 정한 최저 전압 기준 범위인 1.01~1.12볼트에서 작동하며 데이터 처리 속도는 초당 68GB에 달한다. FHD급 영화 13편을 1초에 처리하는 수준이다.

SK하이닉스는 같은 달 321단 4D 낸드 샘플을 공개해 업계를 놀라게 하기도 했다. 업계에서 300단 이상 낸드의 구체적인 개발 경과를 공개한 것은 SK하이닉스가 처음이다. SK하이닉스는 321단 낸드의 완성도를 높여 오는 2025년 상반기부터 양산할 방침이다.

SK하이닉스가 공개한 321단 1Tb TLC 4D 낸드는 이전 세대인 238단 512Gb 대비 생산성이 59% 높아졌다. 한 개의 칩으로 더 큰 용량을 구현할 수 있어 웨이퍼 한 장에서 생산할 수 있는 전체 용량이 늘어난 덕분이다. 더 많은 데이터를 빠르게 처리하기 위한 고성능·고용량 메모리 수요가 늘어나고 있는 점을 감안, 향후 낸드 시장을 주도할 것으로 보인다.