공시일자 |
특허명칭 |
공시당시 등락율 |
금일공시 |
실리콘 산화막의 건식 식각 방법 |
-0.92% |
12.03.27 |
흄 발생없이 패턴을 형성하는 방법 |
0.0% |
12.03.20 |
열교환용 플레이트가 구비된 트랜스퍼 챔버 및 이를 구비한 반도체 제조장비 |
-2.24% |
12.03.13 |
가스분사장치 및 이를 갖는 공정 챔버 |
-0.73% |
12.03.12 |
서셉터 접지유닛, 이를 이용하여 서셉터 접지의 가변방법 및 이를 갖는 공정챔버 |
+5.59% |
12.03.06 |
기판처리장치 |
-2.47% |
12.02.28 |
기판 처리 장치 |
+4.51% |
12.02.24 |
플라즈마 처리 장치 |
+0.83% |
12.02.21 |
기판처리장치 |
+0.63% |
12.02.14 |
가스 분산판 및 이를 갖는 공정 챔버 |
+1.57% |
12.02.14 |
기판처리장치의 RF접지 어셈블리 |
+1.57% |
12.02.10 |
기판처리장치의 히터 가열장치 |
+2.27% |
12.02.07 |
기판처리장치 |
+0.26% |
12.01.31 |
대면적 기판 처리 장치 |
-1.5% |
12.01.26 |
기판처리장치 |
+1.0% |
12.01.17 |
기판처리장치 |
-1.9% |
12.01.10 |
플라즈마 발생용 전극 |
+0.13% |
12.01.04 |
플라즈마 처리장치 |
-1.21% |
12.01.03 |
기판 처리 장치 |
+2.5% |
11.12.27 |
쉐도우 프레임 및 이를 갖는 공정 챔버 |
-3.4% |
11.12.20 |
대면적 챔버의 가스분사장치 |
+3.3% |
11.12.15 |
p-n 접합 구조를 포함하는 반도체 소자의 n형 반도체층 평가방법 |
-4.21% |
11.12.06 |
기판 처리 장치 및 이의 배기 방법 |
-1.91% |
11.11.29 |
로드 락 장치 및 로드 락 장치의 벤팅 가스 공급 방법 |
+3.31% |
11.11.22 |
가스 공급 플레이트 및 이를 포함하는 플라즈마 발생장치 |
+3.21% |
11.11.15 |
선택적 에미터를 포함하는 태양 전지 제조 방법 |
+8.4% |
11.11.08 |
박막증착방법 |
-3.03% |
11.11.01 |
가스분사장치 |
-1.97% |
11.10.25 |
기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
-1.31% |
11.10.18 |
진공증착장치 |
-3.39% |
11.10.11 |
기판 처리 장치 |
+4.1% |
11.10.04 |
표면조도를 이용한 플라즈마 제어가 가능한 기판처리장치 |
-6.81% |
11.09.30 |
공정 챔버의 슬릿 개폐 장치 |
+0.98% |
11.09.20 |
마그네트론 스퍼터링 장치 |
+0.17% |
11.09.09 |
태양 전지 제조 방법 |
+1.69% |
11.08.24 |
플라즈마 처리장치 |
-3.36% |
11.08.18 |
대면적 가스분사장치 |
-4.65% |
11.08.09 |
가스분사장치 |
-14.64% |
11.08.02 |
마그넷 셔터 및 이를 이용한 기판처리장치 |
-3.32% |
11.07.26 |
마그네트론 스퍼터링 장치 |
+9.29% |
11.07.19 |
기판처리장치 |
+0.91% |
11.07.12 |
기판 처리장치 |
-3.57% |
11.07.05 |
인라인 기판 처리시스템 및 공정챔버 |
-1.57% |
11.06.23 |
기판처리장치 |
+2.51% |
11.06.22 |
태양전지의 제조방법 |
+1.7% |
11.06.07 |
플라즈마 발생용 전극 및 이를 포함하는 플라즈마 발생장치 |
-1.25% |
11.05.31 |
기판처리장치 |
+0.29% |
11.05.17 |
대면적 가스분사장치 |
+0.25% |
11.05.11 |
반도체 소자 제조용 기판 처리방법 |
-1.03% |
11.05.11 |
기판처리장치 |
-1.03% |
11.04.25 |
로드락 챔버 및 이를 이용한 기판 처리 방법 |
-0.69% |
11.04.18 |
기판처리장치 |
-3.95% |
11.04.11 |
기판처리장치 |
-1.09% |
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