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테스(095610), 특허취득(선택적 에미터를 포함하는 태...)

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평민

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조회 254 2011/11/15 13:53

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테스(095610)는 '선택적 에미터를 포함하는 태양 전지 제조 방법'에 관한 특허를 취득했다고 공시했다. 취득일자는 11-15이다.
2일 연속 오름세를 보이던 주가는 금일도 강세를 보이고 있다. 오후 1시50분 현재,전일보다 610원(+8.4%) 오른 7870원이다.

테스가 최근 1년간 취득했다고 공시한 특허는 아래와 같다.

공시일자 특허명칭 공시당시
등락율
금일공시 선택적 에미터를 포함하는 태양 전지 제조 방법 +8.4%
11.11.08 박막증착방법 -3.03%
11.11.01 가스분사장치 -1.97%
11.10.25 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 -1.31%
11.10.18 진공증착장치 -3.39%
11.10.11 기판 처리 장치 +4.1%
11.10.04 표면조도를 이용한 플라즈마 제어가 가능한 기판처리장치 -6.81%
11.09.30 공정 챔버의 슬릿 개폐 장치 +0.98%
11.09.20 마그네트론 스퍼터링 장치 +0.17%
11.09.09 태양 전지 제조 방법 +1.69%
11.08.24 플라즈마 처리장치 -3.36%
11.08.18 대면적 가스분사장치 -4.65%
11.08.09 가스분사장치 -14.64%
11.08.02 마그넷 셔터 및 이를 이용한 기판처리장치 -3.32%
11.07.26 마그네트론 스퍼터링 장치 +9.29%
11.07.19 기판처리장치 +0.91%
11.07.12 기판 처리장치 -3.57%
11.07.05 인라인 기판 처리시스템 및 공정챔버 -1.57%
11.06.23 기판처리장치 +2.51%
11.06.22 태양전지의 제조방법 +1.7%
11.06.07 플라즈마 발생용 전극 및 이를 포함하는 플라즈마 발생장치 -1.25%
11.05.31 기판처리장치 +0.29%
11.05.17 대면적 가스분사장치 +0.25%
11.05.11 반도체 소자 제조용 기판 처리방법 -1.03%
11.05.11 기판처리장치 -1.03%
11.04.25 로드락 챔버 및 이를 이용한 기판 처리 방법 -0.69%
11.04.18 기판처리장치 -3.95%
11.04.11 기판처리장치 -1.09%
11.02.28 가스 공급 장치 +1.47%
11.02.10 기판처리장치 +1.68%
11.01.21 플라즈마 발생장치 -3.02%
11.01.10 저온 화학기상증착에 의한 산화막 증착 방법 -0.25%
11.01.05 반도체 제조장치 및 이를 이용한 실리콘 산화막 건식 식각 방법 +0.5%
10.12.17 반도체 제조장치 +0.55%
10.12.13 마그네트론 스퍼터링 장치 -2.09%
10.12.10 반도체 제조 장비 및 이를 이용한 실리콘 산화막 건식 식각 방법 0.0%
10.12.08 반도체 제조용 챔버 +1.33%
10.11.23 반도체 제조용 샤워헤드 및 이 샤워헤드를 구비한 반도체 제조장치 -2.51%


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