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EMLSI A080220   코스닥  (액면가 : 500)      * 11월 23일 16시 48분 데이터    현재가 11,150  시가 10,100  52주 최고   전일비 ▲ 1,050  고가 11,550  52주 최저   거래량 238,560  저가 10,050  총주식수 7,813,636

- 대만 윈본드 90나노급 12인치 공정 활용 "원가경쟁력 확보"

- 휴대폰용 고집적도 메모리시장 진출..설계인력 대폭 확대

EMLSI(대표 박성식)는 국내 팹리스업계 최초로 미국 실리콘밸리에 설립한 설계법인 'EMLSAI'가 본격 가동에 들어가 휴대폰용 512메가 DDR과 64메가 슈도S램 개발에 박차를 가하고 있다고 23일 밝혔다.

이들 제품은 모두 내년 3분기에 개발이 완료될 것으로 보인다.

512메가급 메모리반도체는 내년 하반기 이후 전세계 고급휴대폰에 가장 보편적으로 탑재 될 사양으로, 2008년 시장 규모가 10억 달러에 달할 것으로 전망되고 있다.

그 동안 16메가급 슈도S램 등 상대적으로 저집적도(low-density)급 메모리 제품에 치중했던 EMLSI는 512메가급 제품의 출시를 계기로 휴대폰용 고집적도 메모리시장에도 본격 진출한다.

이 제품은 기존 납품처인 MCP업체와의 공동마케팅을 통해 전세계 휴대폰 제조업체에 납품될 예정이며, 특히 협력사인 대만 윈본드의 최신 90나노급 12인치 웨이퍼 공정을 활용해 원가경쟁력도 확보하게 된다.

EMLSAI는 최고 수준의 제품 개발을 위해 그 동안 미국 현지에서 우수 설계인력 확보에 총력을 기울였다.

현재 EMLSAI의 설계인력은 모두 9명. 대부분 국내 종합 반도체회사를 거쳐 미국에서 설계경력을 쌓은 경력 15년차 이상의 베테랑들이다.

EMLSAI는 내년 상반기까지 설계인력을 추가로 영입해 15명까지로 늘리는 한편, 2008년 상반기에는 1기가급 DDR칩도 개발해 시장에 선보일 계획이다.

EMLSI는 EMLSAI의 본격 가동으로 인해 기존 제주본사 설계인력과 함께 동시에 5개 이상의 신제품을 개발할 수 있는 역량을 갖추게 됐다.

내년 상반기 출시 예정인 32메가 슈도S램(Burst), 128메가 DDR을 비롯해 현재 개발중인 8메가 슈도S램, 휴대폰 영상칩인 130~200만 화소급 CIS, 512메가 DDR, 64메가 슈도S램(Burst) 등을 내년 하반기 이후 동시다발적으로 출시할 예정이다.

EMLSI는 이 같은 제품군을 보유하게 되는 내년 하반기 이후에는 단일 주력제품 매출에만 전적으로 의존하는 현재의 매출구조 취약성이 완전히 해소될 것으로 기대하고 있다.

이승호기자 simonlee72@

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