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팬택 A025930   거래소  (액면가 : 500)    * 03월 12일 19시 47분 데이터    현재가 5,750  시가 5,400  52주 최고 9,250  전일비 ▲ 420  고가 5,750  52주 최저 3,620  거래량 1,617,568  저가 5,380  총주식수 25,042

 

 

 

 

신화인터텍 A056700   코스닥  (액면가 : 500)      * 03월 12일 19시 46분 데이터    현재가 9,360  시가 8,420  52주 최고   전일비 ↑ 1,000  고가 9,360  52주 최저   거래량 223,985  저가 8,310  총주식수 7,150,000

 

 

 

 

이노와이어 A073490   코스닥  (액면가 : 500)      * 03월 12일 19시 45분 데이터    현재가 28,550  시가 25,150  52주 최고   전일비 ↑ 3,050  고가 28,550  52주 최저   거래량 442,220  저가 25,150  총주식수 3,800,000

 

 

 

 

유니와이드 A034010   코스닥  (액면가 : 500)      * 03월 12일 19시 45분 데이터    현재가 3,650  시가 3,260  52주 최고   전일비 ↑ 390  고가 3,650  52주 최저   거래량 2,207,201  저가 3,235  총주식수 10,468,500

 

 

 

 

유니와이드 A034010   코스닥  (액면가 : 500)      * 03월 12일 19시 44분 데이터    현재가 3,650  시가 3,260  52주 최고   전일비 ↑ 390  고가 3,650  52주 최저   거래량 2,207,201  저가 3,235  총주식수 10,468,500

 

 

당사의 주력제품으로는 저전력 SRAM과 16M 슈도 SRAM이 있는데 단품패키지 형태로 휴대폰의 버퍼용 메모리로 사용되며, 슈도 SRAM은 휴대폰용 플래시 메모리칩과 적층되는 모바일에 특화된 메모리입니다. 당사 제품은 범용 메모리와는 달리 특정한 고정 거래선을 목표시장으로 하는 ASIC (Application Specific Integrated Circuit)성격의 제품으로써, 그 시장규모와 수급동향은 최종 적용제품인 휴대폰 등의 모바일기기 시장에 연동한다고 할 수 있습니다. 주요 적용분야가 휴대폰으로 대표되는 모바일 기기이기 때문에 동 제품에 가장 중요하게 요구되는 특성은 저전력 기능을 실현하는 것입니다. 당사 제품은 1.8V 저전압에 작동하고, 대기상태 소모전류도 1uA 미만으로써 타사 제품 대비 우수한 성능을 가지고 있습니다.

이러한 당사 제품의 우수한 품질 및 성능은 단순히 설계기술로만 실현되는 것이 아니라 위탁가공생산에 최적화된 공정설계 기술과 병행하여 개발되기 때문에 가능한 것입니다. 동일한 설계의 메모리일지라도 어떤 팹에서 웨이퍼를 가공하느냐에 따라 그 품질과 수율에 큰 차이를 보이기 때문에 통상적으로 팹을 보유한 파운드리 업체는 기존 공정을 변경하지 않고 파운드리 서비스를 제공하려 하지만, 당사는 그 동안 파운드리 업체와 구축해 온 긴밀한 협력관계를 바탕으로 제품설계 단계에서부터 파운드리 업체와 공동으로 공정을 변경/설계하여 까다로운 고객의 요구사항을 충족하는 우수한 품질의 제품양산과 수율확보가 가능합니다. 또한 팹공정을 최적화(fine tuning)할 수 있는 당사의 공정설계기술은 타 설계업체에서는 찾아볼 수 없는 당사 경쟁력의핵심이라 할 수 있습니다.

당사는 2001년 4M 저전력 SRAM 및 2002년 2M 저전력 SRAM을 개발 완료한 후, 2002년부터 본격적인 매출을 실현하였습니다. 2001년 30억에 불과했던 매출규모가 2002년 149억, 2003년 695억으로 큰 성장을 실현하였고, 16M 슈도 SRAM이 양산/출하되기 시작한 2004년에는 반기 현재 매출 418억의 실적을 기록하고 있습니다. 또한, 16M 슈도 SRAM의 매출이 본격화되기 시작한 2004년 하반기의 경우 3/4분기말현재 636억원의 매출실적을 기록하고 있습니다.

(나) 공시대상 사업부문의 구분

당사는 휴대폰용 메모리 반도체를 전문적으로 생산, 판매하는 단일사업부문으로 운영되고 있어 공시대상 사업부문을 구분하지 아니하였습니다.

(2) 시장점유율

당사에서 개발/판매하는 저전력 SRAM 및 슈도SRAM은 모바일 기기내의 버퍼 메모리로 사용되는 부품으로 주로 휴대폰에 적용되는 부품입니다. 특히 판매량의 대부분이 노키아 등의 대형 휴대폰 및 부품 제조업체에 사용되므로 휴대폰의 판매추이에 따라 당사 제품의 매출실적이 영향을 받습니다. 2004년 상반기 세계 휴대폰 판매량 은 3억대를 돌파했고 하반기까지 연간 판매량은 6억대를 넘을 것으로 예상되고 있습니다.(Gartner, 2004) 2002부터 2004년 상반기 현재 주요 휴대폰 제조업체들의 시장점유율은 다음과 같습니다.

2004년 상반기 주요 휴대폰 제조업체 시장점유율

(단위: 백만대, %)

출처: IDC(2004), Gartner (2004)

2003년 노키아 생산 휴대폰세트 1억 8천만대 중 당사 저전력 SRAM 2400만개가 적용되었고 2004년 상반기에는 노키아 생산량 9천만대 중 당사 저전력 SRAM과 슈도SRAM이 1천5백만 개가 적용되었습니다. 당사 제품은 휴대폰의 기본 버퍼메모리로 적용되기도 하지만 또한 하이엔드 휴대폰의 카메라 컨트롤 프로세서에 모듈 단위로 적용되기도 하므로, 휴대폰 당 1개씩 이라는 등식이 성립하기 힘듭니다. 예를 들어 코아로직의 카메라 컨트롤 프로세서에 당사 제품이 버퍼 메모리로 사용되어 삼성전자나 LG전자 휴대폰에 장착되지만 삼성전자나 LG전자는 기본 버퍼메모리를 당사가 아닌 타사 제품을 적용하고 있습니다. 이에 따라 휴대폰 생산대수에 비례하여 당사 제품의 시장점유율을 정확히 추산하는 것은 어렵지만 세계휴대폰 생산량과 당사의 주 매출처인 노키아의 휴대폰 시장점유율로 단순 추정한다면 세계 휴대폰용 메모리 시장에서 당사의 시장점유율은 2004년 반기 기준으로 대략 4.8% 정도로 추청 할 수 있습니다.

 

 

EMLSI A080220   코스닥  (액면가 : 500)      * 03월 12일 19시 39분 데이터    현재가 29,050  시가 27,000  52주 최고   전일비 ↑ 3,100  고가 29,050  52주 최저   거래량 721,524  저가 26,500  총주식수 8,113,636

 매수추천가29500목표가40000손절가26500

긴조정후상승전환 매수에무리없는가격

그물망차트 막 벗어남상승신호