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먼저 개미의 허접한 분석임을 말씀 드리며 추세가 꺽인 플레닛과, 제이엠아이는 제외 하였습니다.

 

오늘 플레닛82가 46,950원을 찍고 꼬그라 졌습니다.  510원부터 상승한 플레닛의 상승율은 9200%라는

 기록적인 신기원을 이뤘는데 그 기술이 바로 나노기술 입니다. 플레닛 82는 단기간에 92배라는 너무

 엄청난 숫자만큼 올랐기에 내린것으로 생각함니다.

 

그 뒤를 이었던정목  제이엠아이가 단기 370%가 오른뒤 하락했으나 이는 b/w 신주가 77만주

 상장되면서 하락하였습니다.

 

플레닛은 솔지히 너무 많이 올랐고 그 뒤를 이어 은성코퍼레션이 상한가를 치고 있습니다.

플레닛이 꼬끄라 졌으니 나노가 끝나다 라고 볼 수 는 없는것이 봄철에 바이오 대장주가

대박을 내고 빠지면 다른 바이오주가 대박을 올리고 이어서 제약주가 대박을 냈죠.

 

한종목 상승세가 끝나면 그 분야에서 대박을 먹은 사람들은 다른 나노쪽에서 대박을 찾기

 마련이 아닌가 생각 합니다.

 

은성코퍼가 상한가 가다 꼬끄라지면 또다른 나노 대장주가 나오기 마련 입니다.

지난번 바이오주의 강한 상승시에 바이오주들 보면 정말 장부가 적자 투성이에 부실이 많았고 거품이 많았지만 나노소재 종목들은 장부에서 보듯 아직 비싼 가격이 아니라는것... 물론 플레닛은 심했지만..

 

 

대략적으로 자료를  찾아 봤습니다. 팍스넷이나 씽크풀 에널들의 사기성 글보다는 제가 솔직할 것 입니다.

 

 

065950(은성코퍼레션) 시가총액 420억

 

1. 요약재무정보 2005년 3분기

(단위 : 천원)

구 분	제14기 3분기	제 13기	제 12기	제 11기	제 10기
[유동자산]	19,103,108	20,449,840	16,972,901	15,440,095	13,765,935
ㆍ당좌자산	9,332,839	10,837,587	8,826,795	9,019,262	8,436,843
ㆍ재고자산	9,770,269	9,612,253	8,146,106	6,420,833	5,329,092
[고정자산]	19,987,483	18,356,061	15,533,805	15,155,791	9,352,272
ㆍ투자자산	1,472,965	2,575,541	1,550,597	895,530	880,997
ㆍ유형자산	16,902,396	13,886,230	11,819,232	12,605,900	7,767,350
ㆍ무형자산	1,612,122	1,894,290	2,163,976	1,654,361	703,925
자산총계	39,090,591	38,805,901	32,506,706	30,595,886	23,118,207
[유동부채]	19,815,715	17,259,871	15,340,421	14,621,824	7,675,144
[고정부채]	6,959,945	9,884,383	6,245,336	6,597,754	6,725,148
부채총계	26,775,660	27,144,254	21,585,757	21,219,578	14,400,292
[자본금]	4,104,937	3,400,000	3,400,000	2,380,000	2,380,000
[자본잉여금]	6,362,849	5,291,027	4,632,834	3,216,880	3,216,880
ㆍ주식발행초과금	6,101,592	4,632,834	4,632,834	3,216,880	3,216,880
ㆍ전환권대가	255,894	658,193	-	-	-
ㆍ자기주식처분이익	5,363	-	-	-	-
[이익잉여금]	2,094,516	3,474,339	2,898,255	3,779,428	2,252,534
[자본조정]	(-) 247,371	(-)503,719	(-)10,140	-	868,501
자본총계	12,314,931	11,661,647	10,920,949	9,376,308	8,717,915
매출액	25,900,135	35,732,879	27,412,794	25,400,552	17,787,457
영업이익	(-)1,076,526	1,315,885	(-)275,183	2,432,885	765,803
경상이익	(-)1,896,520	403,393	(-)1,388,077	1,578,679	934,044
당기순이익	(-)1,379,823	576,084	(-)881,173	1,526,894	733,552

                                                                                        [Δ는 부(-)의 수치임

 

 

 

나노하이텍(071360) 시가총액 670억

 

1. 요약재무정보 2005년 3분기

                                                                                       (단위 :원)

구 분	제14기  3분기	제 13 기	제 12 기	제 11 기	제 10 기
[유동자산]	33,492,354,758	23,202,187,353	23,494,999,292	15,339,267,581	12,614,216,956
ㆍ당좌자산	29,360,161,305	20,276,578,326	20,355,200,802	11,465,338,440	7,643,812,034
ㆍ재고자산	4,132,193,453	2,925,609,027	3,139,798,490	3,873,929,141	4,970,404,922
[고정자산]	11,681,509,059	10,453,953,943	8,060,634,564	7,982,243,619	8,168,936,835
ㆍ투자자산	4,503,806,797	3,634,286,337	504,567,624	871,726,848	835,108,336
ㆍ유형자산	6,562,451,851	6,021,023,408	6,012,819,755	5,643,997,409	6,067,124,159
ㆍ무형자산	615,250,411	798,644,198	1,543,247,185	1,466,519,362	1,266,704,340
자산총계	45,173,863,817	33,656,141,296	31,555,633,856	23,321,511,200	20,783,153,791
[유동부채]	16,674,672,863	8,808,160,376	8,369,673,629	11,683,990,753	11,500,109,097
[고정부채]	2,633,431,777	845,178,445	1,200,222,409	2,168,498,649	2,928,805,928
부채총계	19,308,104,640	9,653,338,821	9,569,896,038	13,852,489,402	14,428,915,025
[자본금]	6,250,000,000	6,250,000,000	6,250,000,000	5,000,000,000	5,000,000,000
[자본잉여금]	8,706,769,969	7,746,974,000	7,746,974,000	0	0
ㆍ주식발행초과금	7,746,974,000	7,746,974,000	7,746,974,000	0	0
ㆍ기타자본잉여금	959,795,969	0	0	0	0
[이익잉여금]	10,879,215,696	10,671,207,458	7,988,763,818	4,469,021,798	1,354,238,766
[자본조정]	29,773,512	△ 665,378,983	0	0	0
자본총계	25,865,759,177	24,002,802,475	21,985,737,818	9,469,021,798	6,354,238,766
매출액	51,009,871,373	53,217,885,119	62,001,934,909	50,190,460,890	25,894,172,605
영업이익	3,067,512,575	4,414,233,914	5,057,784,684	4,188,619,986	773,852,191
경상이익	972,357,975	4,194,183,334	4,634,433,393	3,912,691,430	652,755,207
당기순이익	692,008,238	3,182,443,640	3,519,742,020	3,114,783,032	673,804,821

                                                                                        [Δ는 부(-)의 수치임

 

 

 

대주전자재료(078600) 시가총액 560억

 

1. 요약재무정보

(단위 : 천원)

구 분	제 25 기 3분기 2005년	제 24 기 2004년	제 23 기 2003년	제 22 기 2002년	제21 기 2001년
[유동자산]	17,004,233	14,823,531	11,390,096	9,774,049	12,312,450
ㆍ당좌자산	13,146,775	11,045,140	9,123,335	7,722,602	10,041,810
ㆍ재고자산	3,857,458	3,778,390	2,266,761	2,051,447	2,270,640
[고정자산]	30,437,975	26,960,022	20,271,683	14,380,714	15,246,774
ㆍ투자자산	9,446,793	9,216,376	5,650,953	2,709,484	2,994,559
ㆍ유형자산	18,223,817	16,428,781	13,924,751	11,300,678	12,222,722
ㆍ무형자산	2,767,365	1,314,865	695,978	370,552	29,493
자산총계	47,442,208	41,783,554	31,661,779	24,154,763	27,559,224
[유동부채]	17,309,888	14,675,327	11,703,976	8,211,143	9,529,646
[고정부채]	6,123,289	6,034,440	7,602,663	7,312,030	9,613,946
부채총계	23,433,177	20,709,767	19,306,639	15,523,173	19,143,592
[자본금]	4,111,070	4,111,070	3,288,570	3,288,570	3,288,570
[자본잉여금]	5,572,790	5,572,790	1,730,035	1,730,035	1,730,035
ㆍ자본준비금		-	-	-	-
ㆍ재평가적립금		-	-	-	-
[이익잉여금]	14,812,049	11,760,343	7,337,617	3,669,536	3,009,976
[자본조정]	(-)486,878	(-)370,416	(-)1,081	(-)56,551	387,051
자본총계	24,009,031	21,073,787	12,355,140	8,631,590	8,415,632
매출액	35,956,215	46,250,467	29,192,651	24,182,091	21,401,357
영업이익	3,453,651	5,551,115	2,623,932	1,802,592	152,779
경상이익	3,662,974	3,789,525	1,734,078	809,894	319,220
당기순이익	3,462,813	4,414,939	1,975,978	647,363	250,459

                                                                                        [Δ는 부(-)의 수치임]

 

관련회사들의 "기술"

 

은성코퍼레션 나노파이바를 개발 생산하는 곳, 나노파이바란 일반 면이나 그런거보다 아주 세밀하게 구성

 

나노하이텍 반도체 검사용 BURN-IN BOARD, MEMORY TEST DUT BOARD 및 LCD용 BACK LIGHT에 나노기술 적용

 

대주전자재료 이산화티탄 나노 입자를 제조하는 방법에 관한 입도 분포 및 결정성이 우수하여 광  특성이 우수한 이산화티탄 나노 입자의 제조 방법을 제공하는 밥법 개발            

 

 

개인적인 허접한 개미의 분석임을 참고 하시고요,

 

나노기술은 차세대 융복합 기반기술로 떠오르는 이른바 ‘3T(나노기술, 생명기술, 정보기술)’를 신규 성장동력임을 아실것 입니다. 제조업에 우리나라가 목숨걸수는 없는 것이고..!!

 

문제는 나노기업들이 바이오주같이 부실하냐 아니냐가 관건이나 나노기술의 기업은 큰폭의 흑자를 기록하는 우수한 기업임을 볼때 2006년도 주식시장에서 큰폭의 그림을 그릴 수도 있다는 생각.

 

 

 

주)나노하이텍은 21C 첨단기술인 나노(Nano Technology)기술로 금(Au), 은(Ag), 백금(Pt)등을 나노 단위로 나누어 인간 삶의 질 향상을 위해 생명공학, 생활용품, 섬유, 유아, 여성용품등에 적용 나노소재를 접목한 상품연구개발 및 마케팅 전문 회사로서 나노시대의 선두기업으로 중추적 역할을 하는 회사입니다.
	20세기가 마이크로의 시대였다면 21세기는 나노의 시대라고 할 수 있다. 나노(nano)란 10억분의 1미터를 나타내는 단위로 1나노미터 라고 하며 머리카락의 1만분의 1이 되는 초미세의 세계가 된다. 이를테면 원자 3~4개가 들어갈 정도의 크기다. NT(Nano Technology)분야는 전자기술은 물론 화학,물리학 등 다양한 기초 기술로 이뤄져 있기 때문에 원자분자수준의 현상을 규명하고 그 차원에서 물질의 구조 및 구성요소를 조작 제어하는 기술로 새로운 특성의 소재, 소자시스템을 만들어낼 수 있어 기술개발 및 산업발전의 페러 다임을 바꿀 수 있는 가장 중요한 기술 이며 인간의 삶의 질 향상에 혁명적인 방법을 제안할 기술이다. (주)나노하이텍은 유,무기 하이브리지 보유 기술로 전자파 차폐효과가 뛰어난 도전성 금속산화물인 ITO(Indium Tin Oxide)와 Ag, Au등을 중점 개발하여 양산기술을 자체기술로 확보, 국내 및 해외에서 우수한 기술력을 인정받아 ITO Power, Sol, Ag Powder, Sol, Au등을 판매중에 있다. 또한, (주)나노하이텍는 ITO 나노 초미립분체의 합성 및 분산 노하우를 바탕으로 유,무기 하이브리지 기술을 개발, 빙산의 일각에 지나지 않은 국내의 나노 기술을 모든 임직원이 하나 되어 연구, 개발 NT 산업 특히, 신소재 분야에서 세계 일류의 부품, 소재 전문회사로 성장, 중추적인 역할을 할

 

대주전자재료(078600) <== 가장확실

 

1. [특허실용] 전기절연용수지도료조성물   10-1995-0041966  ( 1995.11.17 )  대주전자재료  등록   본 발명은 세라믹 캐패시터등의 용도로 사용되는 내습성, 내열성, 절연성과 도막 외관이 미려한 전기, 전자부품의 외장용 전기절연용 수지도료 조성물에 관한 것으로, 본 발명에 따르면, 필수성분으로서, 융점 50∼100℃를 가지며 전체 조성물의 3∼30중량%의 페놀수지 또는 이것과 액상 또는 연화점 60℃이상의 에폭시 수지 30중량% 이하, 0.1∼10중량%의 왁스 성분, 충전제, 경화촉진제 및 첨가제로 구성되는 전기절연용 수지 도료 조성물이 제공됨으로써, 생산공정의 자동화 및 단순화로 내습성에 손상을 주지 않으면서 생산량의 증대와 내크랙성, 도장후 외관이 뛰어난 특성을 가진다. 본 발명은 페놀수지계 및 페놀 변성 에폭시 수지계 도료에 관해서 보다 구체적으로는 세라믹 캐패시터용으로서 내습성, 내열성, 절연성과 도...

2. [특허실용] 이산화루테늄 분말의 제조 방법   10-1997-0046696  ( 1997.09.11 )  대주전자재료  등록   본 발명은 이산화루테늄(RuO2) 분말의 제조 방법에 관한 것으로, 구체적으로는 루테늄 금속 스폰지를 강산 또는 강염기, 및 산화제의 수용액에 가하여 루테늄산염 수용액을 얻는 단계; 이 루테늄산염 수용액에 산가가 300 이상인 카르복실산계 화합물을 가하여 루테늄 수산화물을 석출하는 단계; 루테늄산 수산화물을 증류수, 탄소수가 5 내지 20 개인 알킬기 사슬을 가지는 카르복실산계 화합물 또는 염의 수용액으로 각각 세정하고, 여과 및 건조시켜 루테늄 수산화물 분말을 얻는 단계; 및 루테늄 수산화물 분말을 400 내지 600 ℃에서 배소하여 이산화루테늄 분말을 얻는 단계를 포함하며, 가격이 저렴한 원재료를 사용하고 분쇄 공정이 없으며 제조된 이산화루테늄 분말이 입도가 균일하며 잔존하는 불순물 이온의 함량이 작고 ...

3. [특허실용] 수산화마그네슘 미립자의 제조방법   10-1996-0020850  ( 1996.06.11 )  대주전자재료  등록   본 발명은 수산화마그네슘 미립자의 제조방법에 관한 것으로, 특히 합성된 입자의 과다한 응집을 막을 수 있고, 반응시간을 줄여 에너지 소모량을 줄일 수 있는 수산화마그네슘 미립자의 제조방법에 관한 것이다.상기한 본 발명의 제조방법은 10-50℃ 사이의 제1반응온도에서 마그네슘 염 용액에 알카리 용액을 투입하여 pH 9-11 범위의 수산화마그네슘 슬러리를 얻는 제1공정과, 상기 수산화마그네슘 슬러리를 70-100℃ 사이의 제2반응온도로 유지하면서 다수 회 마그네슘 염을 투입하여 수산화마그네슘 입자의 합성과 동시에 결정 성장시키는 제2공정으로 구성되는 것을 특징으로 한다.이 경우 본 발명의 제조방법에서는 저온 반응 공법을 채용하고 있으므로 종래에 비하여 에너지 소모량이적고, 반응 시간도 상당히 단축되었다. 또한 ...

4. [특허실용] 전극용 도전 페이스트 조성물   10-2000-0031763  ( 2000.06.09 )  대주전자재료  등록   본 발명은 전극용 도전 페이스트에 관한 것으로, 평균입경 0.8 내지 4 ㎛ 범위의 도전성 분말 100 중량부, 평균입경 0.02 내지 0.1 ㎛ 범위의 도전성 미립자 3 내지 30 중량부, 유리 프릿(glass frit) 0 내지 10 중량부 및 유기 비히클 3 내지 30 중량부를 포함하는 본 발명의 도전 페이스트 조성물은, 저온에서 소성가능하고 기재에 대한 접착성이 좋고 저 저항성인 미세 전극 패턴을 제공할 수 있다. 본 발명은 전극용 도전 페이스트에 관한 것으로, 평균입경 0.8 내지 4 ㎛ 범위의 도전성 분말 100 중량부, 평균입경 0.02 내지 0.1 ㎛ 범위의 도전성 미립자 3 내지 30 중량부, 유리 프릿(glass frit) 0 내지 10 중량부 및 유기 비히클 3 내지 30 중량부를 포함하...

5. [특허실용] 리튬을 포함하는 백색 발광다이오드용 알루미늄산이트륨황색 형광체 및 그 제조방법   10-2001-0013057  ( 2001.03.14 )  대주전자재료|한국화학연구원  등록   본 발명은 알루미늄산이트륨(Y 3 Al 5 O 12 )에 공부활제로 산화세륨과 탄산리튬을 첨가함으로써 청색 발광다이오드로부터 발생되는 청색광원 여기 하에서 발광휘도가 우수하고, 백색 발광다이오드용으로 적합한 하기 화학식 1로 표시되는 알루미늄산이트륨 황색 형광체 및 그 제조방법에 관한 것이다. 화학식 1 (Y 1-a-b Ce a Li b ) 3 Al 5 O 12 상기식에서, 0.005 ≤a ≤0.02이고, 0.01 ≤b ≤0.025이다. 본 발명은 알루미늄산이트륨(Y3Al5O12)에 공부활제로 산화세륨과 탄산리튬을 첨가함으로써 청색 발광다이오드로부터 발생되는 청색광원 여기 하에서 발광휘도가 우수하고, 백색 발광다이오드용으로 적합한 하기 화학식 1로 표시되는 알루미늄산이트륨 황색 형광체 및 그 제조방법에 관한...

6. [특허실용] 툴리움을 포함하는 백색 발광다이오드용 알루미늄산이트륨황색 형광체 및 그 제조방법   10-2000-0084132  ( 2000.12.28 )  대주전자재료|한국화학연구원  등록   본 발명은 알루미늄산이트륨에 공부활제로 산화세륨과 산화툴리움을 첨가함으로써 청색 발광다이오드로부터 발생되는 청색광원 여기 하에서 발광휘도가 우수하고, 백색 발광다이오드용으로 적합한 알루미늄산이트륨 황색 형광체 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 하기 화학식 1로 표시되는 툴리움을 포함하는 백색 발광다이오드용 알루미늄산이트륨 황색 형광체를 제공한다. 화학식 1 (Y 1-a-b Ce a Tm b ) 3 Al 5 O 12 상기 식에서, a는 0.005≤a≤0.03 이고, b는 0≤b≤0.025 임 본 발명은 알루미늄산이트륨에 공부활제로 산화세륨과 산화툴리움을 첨가함으로써 청색 발광다이오드로부터 발생되는 청색광원 여기 하에서 발광휘도가 우수하고, 백색 발광다이오드용으로 적합한 알루미늄산이트륨 황색 형광체 및 그 제조...

7. [특허실용] 툴리움을 포함하는 저전압용 청색 형광체 및 그 제조방법   10-2000-0055830  ( 2000.09.22 )  대주전자재료|한국화학연구원  등록   본 발명은 형광 표시관의 발광부에 사용되고, 전자선으로 여기되어 발광하는 갈륨산아연계 청색 형광체 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 형광체 모체인 갈륨산아연(ZnGa 2 O 4 )에 공부활제로 산화툴리움과 탄산리튬을 첨가함으로써 저속 전자선에서 발광휘도와 색순도가 우수하고, 고진공에서도 안정한 물성을 가지며, 저전압 전자선 여기에 의해 구동하는 전계방출디스플레이(Field Emission Display ; FED)에 적합하도록 고휘도를 갖는 하기 화학식 1로 표시되는 갈륨산아연계 청색 형광체 및 그 제조방법에 관한 것이다. 화학식 1 (Zn 1-a Li a )(Ga 1-b Tm b ) 2 O 4 상기 화학식 1에서 0.05≤a≤0.25이고, 0≤b≤0.1이다. 본 발명은 형광 표시관의 발광부...

8. [특허실용] 은/루테늄계 저항 페이스트 조성물   10-2001-0021701  ( 2001.04.23 )  대주전자재료  등록   본 발명은 은/루테늄계 저항 페이스트 조성물에 관한 것으로서, 루테늄계 산화물 분말 및 은 분말을 도전성 물질로서 각각 5 내지 50 중량% 포함하고, 유리 분말 5 내지 35 중량% 및 유기 결합제 10 내지 45 중량%를 포함하는 본 발명에 따른 조성물은 저항체 크기에 따른 시트저항값 및 온도저항계수의 변화가 적고 낮은 시트저항값 및 온도저항계수를 가짐과 동시에 저항체와 전극 계면의 변색 현상을 억제하여 저항기의 저항체로서 유용하게 적용될 수 있다. 본 발명은 은/루테늄계 저항 페이스트 조성물에 관한 것으로서, 루테늄계 산화물 분말 및 은 분말을 도전성 물질로서 각각 5 내지 50 중량% 포함하고, 유리 분말 5 내지 35 중량% 및 유기 결합제 10 내지 45 중량%를 포함하는 본 발명에 따른 조성물은...

9. [특허실용] 직접메탄올 연료전지용 이온교환막   10-2001-0016967  ( 2001.03.30 )  대주전자재료  거절   본 발명은 직접메탄올 연료전지(direct type methanol fuel cell) 제작에 유용한 이온교환막에 관한 것으로, 본 발명에 따라 술폰화된 스티렌-에틸렌/부틸렌-스티렌 삼원 블록 공중합체를 이용한 이온교환막은 술폰산기의 농도가 높아 도전성이 우수할 뿐만 아니라 내구성이 좋고 유연한 얇은 막을 형성할 수 있어, 직접메탄올 연료전지용 전해질로 유용하게 사용할 수 있다.

10. [특허실용] 흑색층 형성용 흑색 페이스트 조성물   10-2000-0031765  ( 2000.06.09 )  대주전자재료  등록   본 발명은 흑색 박막 형성에 유용한 흑색 페이스트 조성물에 관한 것으로, 비표면적 5 내지 40 m 2 /g 범위의 루테늄계 다산화물 미분말 15 내지 25 중량부, 평균입경 0.2 내지 2 ㎛ 범위 및 최대 크기 5 ㎛ 이하의 유리 프릿(glass frit) 40 내지 85 중량부 및 유기 비히클 8 내지 40 중량부를 포함하는 것을 특징으로 하는 본 발명의 흑색 페이스트는, 유리 기판 또는 세라믹 기판 상에 치밀하고 흑색도가 높으며 여러 물성이 우수한 흑색 박막 패턴을 제공할 수 있다. 본 발명은 흑색 박막 형성에 유용한 흑색 페이스트 조성물에 관한 것으로, 비표면적 5 내지 40 m2/g 범위의 루테늄계 다산화물 미분말 3 내지 30 중량%, 평균입경 0.2 내지 2 ㎛ 범위 및 최대 크기 5 ㎛ 이하...

11. [특허실용] 흑색층 형성용 흑색 페이스트 조성물   10-2000-0031764  ( 2000.06.09 )  대주전자재료  등록   본 발명은 흑색층의 형성에 유용한 흑색 페이스트 조성물에 관한 것으로, 페로스피넬 분말 15 내지 25 중량부, 유리 프릿(glass frit) 40 내지 85 중량부 및 유기 비히클(organic vehicle) 8 내지 40 중량부를 포함하는 것을 특징으로 하는 본 발명의 흑색 페이스트는 유리 기판 또는 세라믹 기판 상에 치밀하고 흑색도가 높으며 여러 물성이 우수한 박막 패턴을 제공할 수 있으며 전극의 갈변화를 일으키지 않는다. 본 발명은 흑색층의 형성에 유용한 흑색 페이스트 조성물에 관한 것으로, 페로스피넬 분말 3 내지 30 중량%, 유리 프릿(glass frit) 70 내지 90 중량% 및 유기 비히클(organic vehicle) 3 내지 20 중량%를 포함하는 것을 특징으로 하는 본 발명의 흑색...

12. [특허실용] 인듐-주석 산화물의 초미립 분말의 제조방법   10-2000-0030679  ( 2000.06.05 )  대주전자재료  등록   투명 전도성을 갖는 인듐-주석 산화물은 균일한 10 내지 50㎚ 크기의 초미분체로서 높은 투과율은 물론 인듐 산화물의 결정 구조에서 일부 인듐 원자 대신 주석 원자를 도핑(doping)하여 우수한 전기적 특성을 갖도록 한 n형 반도체 재료이다. 본 발명은 우수한 광특성과 전기적으로 낮은 저항값을 갖는 인듐-주석 산화물의 초미립 분말을 새로운 수열산화법에 의하여 제조하는 방법을 제공하는 것으로서, 인듐-주석 수산화물의 액상의 슬러리를 수열산화시켜 50㎚ 이하의 초미립 분말을 대량생산할 수 있도록 하는 점에 특징이 있다. 또한, 아민류 및 알코올 등과 같은 유기용매를 사용하는 종래의 방법 대신 고급지방산으로 표면처리함으로써 1 ×10 2 Ω/mm 2 정도의 낮은 저항값을 갖는 인듐-주석 산화물의 분말을 제공한다...

13. [특허실용] 수산기함유 에폭시 수지 경화제 및 이를 포함하는 에폭시수지 분체 도료 조성물   10-2000-0023916  ( 2000.05.04 )  대주전자재료  거절   본 발명은 하기 화학식 1의 수산기함유 에폭시 수지 경화제 및 이를 포함하는 에폭시 수지계 분체도료 조성물에 관한 것으로, 에폭시 기재 수지 및 경화제를 포함하는 에폭시 수지계 분체 도료 조성물에 있어서, 상기 경화제로서 화학식 1의 경화제를 함유하는 것을 특징으로 하는 본 발명의 도료 조성물은 내열 충격 특성 및 보존 안정성이 우수하다: 상기식에서, n은 1 내지 10 이다.

14. [특허실용] 인쇄회로기판의 관통구멍 충진용 은동 페이스트 조성물   10-2000-0028071  ( 2000.05.24 )  대주전자재료  등록   본 발명은 전도체로서 은과 동의 혼합물을 포함하며, 인쇄회로기판의 관통구멍에 충진되어 관통전극을 형성하는데 사용될 수 있는 은동 페이스트 조성물에 관한 것이다. 본 발명에 따른 인쇄회로기판의 관통구멍 충진용 은동 페이스트 조성물은 전도체로서 은 분말과 동 분말을 혼합한 금속혼합물 35 내지 75중량%, 바인더로서 열경화성수지 5 내지 20중량%, 분산제 0.1 내지 3중량% 및 잔량으로서 유기용제를 포함하여 이루어진다. 따라서, 전도체로서 은 분말 만을 사용하던 종래의 은 페이스트 조성물에 비해 은 분말에 동 분말을 혼합한 금속혼합물을 전도체로 사용함으로써 우수한 전기전도성 및 퍼짐성 등을 가지며, 자원절약 및 원가절감을 기대할 수 있는 은동 페이스트 조성물을 제공하는 효과가 있다. 본 발명은 전도체로서 은...

15. [특허실용] 칩 저항기 이차전극용 전도성 페이스트 조성물   10-2000-0051928  ( 2000.09.04 )  대주전자재료  등록   본 발명은 칩 저항기 이차전극용 전도성 페이스트 조성물에 관한 것으로서, 은 분말 40 내지 50 중량%; 에틸셀룰로즈, 말레산 변형수지, 페놀 변성수지 및 제 1 유기용매로 이루어진 유기바인더 30 내지 46 중량%; 글라스 프릿(glass frit) 7 내지 13 중량%; 소결촉진제 및 수축억제제로 이루어진 첨가제 3 내지 7 중량%; 및 제 2 유기용매 0.5 내지 3 중량%를 포함하는, 본 발명에 따른 칩 저항기 이차전극용 전도성 페이스트 조성물은 우수한 전도성을 갖는 안정적인 형상의 칩 저항기 이차전극을 형성할 수 있다. 본 발명은 칩 저항기 이차전극용 전도성 페이스트 조성물에 관한 것으로서, 은 분말 40 내지 50 중량%; 에틸셀룰로즈, 말레산 변형수지, 페놀 변성수지 및 유기용매로 이루어진 유...

16. [특허실용] 전기발열체용 저항 페이스트 조성물   10-2000-0051585  ( 2000.09.01 )  대주전자재료  등록   본 발명은 전기발열체용 저항 페이스트 조성물에 관한 것으로, 비표면적 5 내지 30 m 2 /g 범위의 루테늄 금속 또는 산화물 분말 5 내지 75 중량%, 평균입경 0.1 내지 3 ㎛ 범위 및 최대 입자 크기 7 ㎛ 이하의 Ag계 분말 5 내지 75 중량%, 연화점 400 내지 550 ℃ 범위의 유리 프릿 (glass frit) 5 내지 40 중량% 및 유기 바인더 5 내지 45 중량%를 포함하는 것을 특징으로 하는 본 발명의 저항 페이스트 조성물은 600℃ 이하의 온도에서 소결가능하여 사용 기판에 제약이 없으며 물리화학적으로 안정하고 단시간 내에 온도상승되는 전기발열층을 형성할 수 있다. 본 발명은 전기발열체용 저항 페이스트 조성물에 관한 것으로, 비표면적 5 내지 30 m2/g 범위의 루테늄 금속 또는...

17. [특허실용] 전기발열체용 저온 열처리 저항 페이스트의 조성물 및 그제조 방법   10-1999-0058533  ( 1999.12.17 )  대주전자재료  취하   본 발명은 Ru계 화합물, Ag계 화합물, Glass의 분말들이 유기물 매체에 분포되어 있는 페이스트가 특정물체(기판 등)에 도포되어 낮은 온도(600℃ 이하)에서 열처리하여도 물리·화학적으로 안정한 후막(또는 코팅)층을 형성하여 전극 등을 통해 가해주는 전기작용에 의해 발열을 일으키는 전기발열체용 저온 열처리 저항 페이스트 조성물에 관한 것이다.

18. [특허실용] 고체 고분자 전해질막 연료전지용 세퍼레이터   10-2003-0032160  ( 2003.05.21 )  대주전자재료  공개   본 발명은 수지 기판 및 이 기판 위에 형성된 도전성 코팅층을 포함하는, 고체 고분자 전해질막 연료전지용 세퍼레이터(separator)에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 세퍼레이터는 내열성, 기계적 강도, 전기전도도, 내산화성 및 내산성 등의 물성이 우수하고 적은 비용으로 대량생산이 가능하여 고체 고분자 전해질막 연료전지에 전극으로서 유용하게 사용될 수 있다.

19. [특허실용] 이산화티탄 나노입자의 제조방법    10-2003-0033180  ( 2003.05.24 )  대주전자재료|이종협  등록   본 발명은 이산화티탄 나노 입자를 제조하는 방법에 관한 것으로, 입도 분포 및 결정성이 우수하여 광 특성이 우수한 이산화티탄 나노 입자의 제조방법을 제공하는 것이 목적이다. 본 발명의 이산화티탄 나노 입자의 제조방법은, 전구물질인 티타늄테트라이소프로폭사이드(TITANIUMTETRAISOPROPOXIDE, TTIP)를 초순수에 점적하여 수화 반응시키는 단계(A-1)와, (A-1) 단계에서 형성된 침전물을 여과하고, 초순수로 세척하여 불순물을 제거한 후, 건조시켜 무정질의 이산화티탄 분말을 제조하는 단계(A-2)와, (A-2) 단계에서 제조된 무정질의 이산화티탄 입자와 해교제를 고압반응기에서 반응시켜 이산화티탄 졸을 형성하는 단계(B)와, 승온하여 이산화티탄 졸을 이산화티탄 입자로 성장시키는 단계(C-1)와, ...

20. [특허실용] 복합재료 고체 고분자 전해질막, 이의 제조방법 및 이를이용한 연료전지   10-2003-0015407  ( 2003.03.12 )  대주전자재료  등록   본 발명은 강화재로 막재료를 강화시킨 고체 고분자 전해질막, 이의 제조방법 및 이를 이용한 연료전지에 관한 것으로, 고체 고분자 전해질막을 구성하는 고분자 원료와 친화성이 좋은 강화재로 강화시킨, 본 발명에 따른 복합재료 고체 고분자 전해질막은 막 두께가 얇으면서도 기계적 강도, 친수성, 전기전도도, 내열성 및 내구성이 우수하고, 적은 비용으로 대량생산이 가능하여 고체 고분자 전해질막 연료전지에 유용하게 사용될 수 있다. 본 발명은 강화재로 막재료를 강화시킨 고체 고분자 전해질막, 이의 제조방법 및 이를 이용한 연료전지에 관한 것으로, 고체 고분자 전해질막을 구성하는 고분자 원료와 친화성이 좋은 강화재로 강화시킨, 본 발명에 따른 복합재료 고체 고분자 전해질막은 막 두께가 얇으면서도 기계적 강도, 친수성, ...

21. [특허실용] 고체 고분자 전해질막 연료전지   10-2002-0067385  ( 2002.11.01 )  대주전자재료  등록   본 발명은 유기 고분자와 물로 이루어진 겔 및 이 겔 중에 분산된 도전성 분말을 포함하는, 고체 고분자 전해질막 연료전지용 도전성 하이드로겔(HYDROGEL)에 관한 것으로, 본 발명에 따른 도전성 하이드로겔은 고체 고분자 전해질막과 세퍼레이터 간의 전기적 접촉저항을 감소시키고 조립시 전해질막에 가해지는 조임 압력을 완화시켜 주므로, 고체 고분자 전해질막 연료전지에 유용하게 사용될 수 있다. 본 발명은 유기 고분자와 물로 이루어진 겔 및 이 겔 중에 분산된 도전성 분말을 포함하는, 고체 고분자 전해질막 연료전지용 도전성 하이드로겔(HYDROGEL)에 관한 것으로, 본 발명에 따른 도전성 하이드로겔은 고체 고분자 전해질막과 세퍼레이터 간의 전기적 접촉저항을 감소시키고 조립시 전해질막에 가해지는 조임 압력을 완...

22. [특허실용] 은 나노 입자의 제조방법   10-2003-0075370  ( 2003.10.28 )  대주전자재료|이종협  공개   본 발명에서는 상온상압에서 은 전구체의 농도가 높은 상태(AG+기준 0.2M)에서 반응시켜 평균직경 5NM의 입도 분포가 우수한 은 나노 입자를 제조하는 방법 및 은 나노 입자의 입도를 수요자가 원하는 크기로 조절하는 방법이 제시된다. 본 발명의 은 나노 입자 제조방법은 질산에 은을 용해하여 은 전구체인 질산은을 만드는 단계(A-1)와; (A-1) 단계에서 제조된 질산은을 물에 희석하고, 수산화 암모늄을 첨가하여 착이온을 형성시키는 단계(A-2)와; 분산제를 투입하여 단분산된 졸(SOL) 상태의 은 나노 입자를 제조하고, 수산화 나트륨으로 PH를 조절해 준 후, 포름알데히드로 환원시키는 단계(A-3); 및 오븐에서 건조하는 단계(A-4)를 포함한다.

23. [특허실용] 이온교환막 및 이를 이용한 직접 메탄올 연료전지   10-2002-0049945  ( 2002.08.23 )  대주전자재료  등록   본 발명은 물성이 우수한 이온교환막 및 이를 이용한 직접 메탄올 연료전지에 관한 것으로, 에폭시 수지-티오알킬술폰산염 또는 에폭시 수지-티오알킬페닐술폰산염 부가물을 경화제 존재하에 가교반응시켜 성막된, 본 발명에 따른 이온교환막은 유연성, 물리적 강도, 내열성 및 내구성이 우수하고 연료 메탄올의 막투과율이 낮아, 직접 메탄올 연료전지에 사용되어 전지의 전기적 성능을 향상시킨다. 본 발명은 물성이 우수한 이온교환막 및 이를 이용한 직접 메탄올 연료전지에 관한 것으로, 에폭시 수지-티오알킬술폰산염 또는 에폭시 수지-티오알킬페닐술폰산염 부가물을 경화제 존재하에 가교반응시켜 성막된, 본 발명에 따른 이온교환막은 유연성, 물리적 강도, 내열성 및 내구성이 우수하고 연료 메탄올의 막투과율이 낮아, 직접 메탄올 연료전지...

24. [특허실용] 유기 ＥＬ 소자의 발광층용 공액성 고분자-무기물 나노복합체 조성물   10-2002-0022188  ( 2002.04.23 )  대주전자재료|윤기현  등록   본 발명은 유기 EL 소자(ORGANIC ELECTROLUMINESCENCE DEVICE)의 발광층 형성에 사용하기 위한 공액성(CONJUGATED) 고분자-무기물 나노 복합체 조성물에 관한 것으로, 본 발명에 따라, 공액성 고분자 또는 고분자 전구체(PRECURSOR) 용액과 미립자 졸(PARTICULATE SOL) 형태의 무기물 용액을 혼합 교반하여 얻은 균질한 복합체 용액은 기재에 코팅후 열처리하여 나노 복합체 박막으로 제조시, 나노 입자들의 응집이 없고 분산성이 향상되어 유기 EL 소자의 장시간 동작 특성을 개선하고, 종래의 졸-겔(SOL-GEL) 방법에서 발생하는 고분자의 공액 길이 감소 문제를 해결하여 고분자와 안정한 복합체를 이루고, 산소와 수분에 약한 고분자의 안정성을 향상시키고, 순수한 고분...

25. [특허실용] 리튬을 포함하는 야그계 황색형광체 및 이의 제조방법   10-2002-0016951  ( 2002.03.28 )  대주전자재료|한국화학연구원  거절   본 발명은 야그계 황색형광체 및 이의 제조방법에 관한 것으로서, 하기 화학식 1로 표시되는, 본 발명에 따른 야그계 황색형광체는 청색 발광다이오드로부터 발생되는 청색광원 여기 하에서 우수한 발광 휘도를 나타내어 고휘도 백색 발광다이오드에 유용하게 사용될 수 있다:(Y1-a-b-cGdaCebLic)3(Al1-dGad)5O12상기 식에서, 0.5≤a≤0.8, 0.007≤b≤0.025, 0<c≤0.02 및 0<d≤0.5이다.

[특허실용] 전기절연용수지도료조성물   10-1995-0041966  ( 1995.11.17 )  대주전자재료  등록   본 발명은 세라믹 캐패시터등의 용도로 사용되는 내습성, 내열성, 절연성과 도막 외관이 미려한 전기, 전자부품의 외장용 전기절연용 수지도료 조성물에 관한 것으로, 본 발명에 따르면, 필수성분으로서, 융점 50∼100℃를 가지며 전체 조성물의 3∼30중량%의 페놀수지 또는 이것과 액상 또는 연화점 60℃이상의 에폭시 수지 30중량% 이하, 0.1∼10중량%의 왁스 성분, 충전제, 경화촉진제 및 첨가제로 구성되는 전기절연용 수지 도료 조성물이 제공됨으로써, 생산공정의 자동화 및 단순화로 내습성에 손상을 주지 않으면서 생산량의 증대와 내크랙성, 도장후 외관이 뛰어난 특성을 가진다. 본 발명은 페놀수지계 및 페놀 변성 에폭시 수지계 도료에 관해서 보다 구체적으로는 세라믹 캐패시터용으로서 내습성, 내열성, 절연성과 도...

32. [특허실용] 이산화루테늄 분말의 제조 방법   10-1997-0046696  ( 1997.09.11 )  대주전자재료  등록   본 발명은 이산화루테늄(RuO2) 분말의 제조 방법에 관한 것으로, 구체적으로는 루테늄 금속 스폰지를 강산 또는 강염기, 및 산화제의 수용액에 가하여 루테늄산염 수용액을 얻는 단계; 이 루테늄산염 수용액에 산가가 300 이상인 카르복실산계 화합물을 가하여 루테늄 수산화물을 석출하는 단계; 루테늄산 수산화물을 증류수, 탄소수가 5 내지 20 개인 알킬기 사슬을 가지는 카르복실산계 화합물 또는 염의 수용액으로 각각 세정하고, 여과 및 건조시켜 루테늄 수산화물 분말을 얻는 단계; 및 루테늄 수산화물 분말을 400 내지 600 ℃에서 배소하여 이산화루테늄 분말을 얻는 단계를 포함하며, 가격이 저렴한 원재료를 사용하고 분쇄 공정이 없으며 제조된 이산화루테늄 분말이 입도가 균일하며 잔존하는 불순물 이온의 함량이 작고 ...

33. [특허실용] 수산화마그네슘 미립자의 제조방법   10-1996-0020850  ( 1996.06.11 )  대주전자재료  등록   본 발명은 수산화마그네슘 미립자의 제조방법에 관한 것으로, 특히 합성된 입자의 과다한 응집을 막을 수 있고, 반응시간을 줄여 에너지 소모량을 줄일 수 있는 수산화마그네슘 미립자의 제조방법에 관한 것이다.상기한 본 발명의 제조방법은 10-50℃ 사이의 제1반응온도에서 마그네슘 염 용액에 알카리 용액을 투입하여 pH 9-11 범위의 수산화마그네슘 슬러리를 얻는 제1공정과, 상기 수산화마그네슘 슬러리를 70-100℃ 사이의 제2반응온도로 유지하면서 다수 회 마그네슘 염을 투입하여 수산화마그네슘 입자의 합성과 동시에 결정 성장시키는 제2공정으로 구성되는 것을 특징으로 한다.이 경우 본 발명의 제조방법에서는 저온 반응 공법을 채용하고 있으므로 종래에 비하여 에너지 소모량이적고, 반응 시간도 상당히 단축되었다. 또한 ...

34. [특허실용] 고체 고분자 전해질막 연료전지용 세퍼레이터   10-2003-0032160  ( 2003.05.21 )  대주전자재료  공개   본 발명은 수지 기판 및 이 기판 위에 형성된 도전성 코팅층을 포함하는, 고체 고분자 전해질막 연료전지용 세퍼레이터(separator)에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 세퍼레이터는 내열성, 기계적 강도, 전기전도도, 내산화성 및 내산성 등의 물성이 우수하고 적은 비용으로 대량생산이 가능하여 고체 고분자 전해질막 연료전지에 전극으로서 유용하게 사용될 수 있다.

35. [특허실용] 이산화티탄 나노입자의 제조방법   10-2003-0033180  ( 2003.05.24 )  대주전자재료|이종협  등록   본 발명은 이산화티탄 나노 입자를 제조하는 방법에 관한 것으로, 입도 분포 및 결정성이 우수하여 광 특성이 우수한 이산화티탄 나노 입자의 제조방법을 제공하는 것이 목적이다. 본 발명의 이산화티탄 나노 입자의 제조방법은, 전구물질인 티타늄테트라이소프로폭사이드(TITANIUMTETRAISOPROPOXIDE, TTIP)를 초순수에 점적하여 수화 반응시키는 단계(A-1)와, (A-1) 단계에서 형성된 침전물을 여과하고, 초순수로 세척하여 불순물을 제거한 후, 건조시켜 무정질의 이산화티탄 분말을 제조하는 단계(A-2)와, (A-2) 단계에서 제조된 무정질의 이산화티탄 입자와 해교제를 고압반응기에서 반응시켜 이산화티탄 졸을 형성하는 단계(B)와, 승온하여 이산화티탄 졸을 이산화티탄 입자로 성장시키는 단계(C-1)와, ...

36. [특허실용] 복합재료 고체 고분자 전해질막, 이의 제조방법 및 이를이용한 연료전지   10-2003-0015407  ( 2003.03.12 )  대주전자재료  등록   본 발명은 강화재로 막재료를 강화시킨 고체 고분자 전해질막, 이의 제조방법 및 이를 이용한 연료전지에 관한 것으로, 고체 고분자 전해질막을 구성하는 고분자 원료와 친화성이 좋은 강화재로 강화시킨, 본 발명에 따른 복합재료 고체 고분자 전해질막은 막 두께가 얇으면서도 기계적 강도, 친수성, 전기전도도, 내열성 및 내구성이 우수하고, 적은 비용으로 대량생산이 가능하여 고체 고분자 전해질막 연료전지에 유용하게 사용될 수 있다. 본 발명은 강화재로 막재료를 강화시킨 고체 고분자 전해질막, 이의 제조방법 및 이를 이용한 연료전지에 관한 것으로, 고체 고분자 전해질막을 구성하는 고분자 원료와 친화성이 좋은 강화재로 강화시킨, 본 발명에 따른 복합재료 고체 고분자 전해질막은 막 두께가 얇으면서도 기계적 강도, 친수성, ...

37. [특허실용] 고체 고분자 전해질막 연료전지   10-2002-0067385  ( 2002.11.01 )  대주전자재료  등록   본 발명은 유기 고분자와 물로 이루어진 겔 및 이 겔 중에 분산된 도전성 분말을 포함하는, 고체 고분자 전해질막 연료전지용 도전성 하이드로겔(HYDROGEL)에 관한 것으로, 본 발명에 따른 도전성 하이드로겔은 고체 고분자 전해질막과 세퍼레이터 간의 전기적 접촉저항을 감소시키고 조립시 전해질막에 가해지는 조임 압력을 완화시켜 주므로, 고체 고분자 전해질막 연료전지에 유용하게 사용될 수 있다. 본 발명은 유기 고분자와 물로 이루어진 겔 및 이 겔 중에 분산된 도전성 분말을 포함하는, 고체 고분자 전해질막 연료전지용 도전성 하이드로겔(HYDROGEL)에 관한 것으로, 본 발명에 따른 도전성 하이드로겔은 고체 고분자 전해질막과 세퍼레이터 간의 전기적 접촉저항을 감소시키고 조립시 전해질막에 가해지는 조임 압력을 완...

38. [특허실용] 은 나노 입자의 제조방법   10-2003-0075370  ( 2003.10.28 )  대주전자재료|이종협  공개   본 발명에서는 상온상압에서 은 전구체의 농도가 높은 상태(AG+기준 0.2M)에서 반응시켜 평균직경 5NM의 입도 분포가 우수한 은 나노 입자를 제조하는 방법 및 은 나노 입자의 입도를 수요자가 원하는 크기로 조절하는 방법이 제시된다. 본 발명의 은 나노 입자 제조방법은 질산에 은을 용해하여 은 전구체인 질산은을 만드는 단계(A-1)와; (A-1) 단계에서 제조된 질산은을 물에 희석하고, 수산화 암모늄을 첨가하여 착이온을 형성시키는 단계(A-2)와; 분산제를 투입하여 단분산된 졸(SOL) 상태의 은 나노 입자를 제조하고, 수산화 나트륨으로 PH를 조절해 준 후, 포름알데히드로 환원시키는 단계(A-3); 및 오븐에서 건조하는 단계(A-4)를 포함한다.

39. [특허실용] 이온교환막 및 이를 이용한 직접 메탄올 연료전지   10-2002-0049945  ( 2002.08.23 )  대주전자재료  등록   본 발명은 물성이 우수한 이온교환막 및 이를 이용한 직접 메탄올 연료전지에 관한 것으로, 에폭시 수지-티오알킬술폰산염 또는 에폭시 수지-티오알킬페닐술폰산염 부가물을 경화제 존재하에 가교반응시켜 성막된, 본 발명에 따른 이온교환막은 유연성, 물리적 강도, 내열성 및 내구성이 우수하고 연료 메탄올의 막투과율이 낮아, 직접 메탄올 연료전지에 사용되어 전지의 전기적 성능을 향상시킨다. 본 발명은 물성이 우수한 이온교환막 및 이를 이용한 직접 메탄올 연료전지에 관한 것으로, 에폭시 수지-티오알킬술폰산염 또는 에폭시 수지-티오알킬페닐술폰산염 부가물을 경화제 존재하에 가교반응시켜 성막된, 본 발명에 따른 이온교환막은 유연성, 물리적 강도, 내열성 및 내구성이 우수하고 연료 메탄올의 막투과율이 낮아, 직접 메탄올 연료전지...

40. [특허실용] 유기 ＥＬ 소자의 발광층용 공액성 고분자-무기물 나노복합체 조성물   10-2002-0022188  ( 2002.04.23 )  대주전자재료|윤기현  등록   본 발명은 유기 EL 소자(ORGANIC ELECTROLUMINESCENCE DEVICE)의 발광층 형성에 사용하기 위한 공액성(CONJUGATED) 고분자-무기물 나노 복합체 조성물에 관한 것으로, 본 발명에 따라, 공액성 고분자 또는 고분자 전구체(PRECURSOR) 용액과 미립자 졸(PARTICULATE SOL) 형태의 무기물 용액을 혼합 교반하여 얻은 균질한 복합체 용액은 기재에 코팅후 열처리하여 나노 복합체 박막으로 제조시, 나노 입자들의 응집이 없고 분산성이 향상되어 유기 EL 소자의 장시간 동작 특성을 개선하고, 종래의 졸-겔(SOL-GEL) 방법에서 발생하는 고분자의 공액 길이 감소 문제를 해결하여 고분자와 안정한 복합체를 이루고, 산소와 수분에 약한 고분자의 안정성을 향상시키고, 순수한 고분...

41. [특허실용] 리튬을 포함하는 야그계 황색형광체 및 이의 제조방법   10-2002-0016951  ( 2002.03.28 )  대주전자재료|한국화학연구원  거절   본 발명은 야그계 황색형광체 및 이의 제조방법에 관한 것으로서, 하기 화학식 1로 표시되는, 본 발명에 따른 야그계 황색형광체는 청색 발광다이오드로부터 발생되는 청색광원 여기 하에서 우수한 발광 휘도를 나타내어 고휘도 백색 발광다이오드에 유용하게 사용될 수 있다:(Y1-a-b-cGdaCebLic)3(Al1-dGad)5O12상기 식에서, 0.5≤a≤0.8, 0.007≤b≤0.025, 0<c≤0.02 및 0<d≤0.5이다.

 

 

은성코퍼레션(065950)

 

1. 표면과 이면의 조직이 다른 수세미

	출원번호 : 2020000016299  (2000.06.09) 등록일자 : 2000.09.25 출원인 : 주식회사 은성코퍼레이션 IPC : A47L 17/08 초록 : 폴리에스터 가연사와 폴리에스터/나일론 분할사를 혼합하여 라셀조직으로 편직한 후 감량가공하여 편물의 표면에 벌집모양의 요철이 형성된 제1 커버부(2)와; 폴리에스터 가연사와 폴리에스터/나일론 분할사를 혼합하여 표면에 다수의 파일(pile)을 조밀하게 형성하여 벌키성 및 수분흡수성이 우수한 테리조직으로 편직한 제2 커버부(3)와; 제1 커버부(2)와 제2 커버부(3)에 완전히 삽입되어 물을 흡수하는 스폰지(4)와; 제1 커버부(2)와 제2 커버부(3)의 테두리를 상호 맞대어 일체로 봉착하여 표면과 이면의 조직이 다른 수세미(1)를 제공한다. 또한, 스폰지(4)를 항균처리하여 세균의 번식을 막고, 수세미의 길이방향으로 한 쪽에 고리(5)를 형성하여 보관시 위생적인 수납이 가능하게 한다.

2. 고흡수성 더블 트리코트 편성물의 제조방법.

	출원번호 : 1020000057595  (2000.09.30) 등록일자 : 2002.01.22 출원인 : 주식회사 은성코퍼레이션 IPC : D04B 1/14 초록 : 본 발명은 고흡수성 더블 트리코트 편성물의 제조방법이다. DPF가 약 2.1 내지 약 5.2인 폴리에스테르 필라멘트를 심사로 지조직을 형성하고 지조직의 양면에 DPF가 약 1.6 내지 약 2.2인 폴리에스테르/나일론 분할사를 효과사로 사용하여 양면 파일을 형성하고 DPF가 약 3.1 내지 5.2인 폴리에스테르 필라멘트를 부사(상기 파일을 잡아주는 실)로 사용하여 더블 트리코트 편성물을 제조하되 파일사의 러너(Runner)를 양면 파일 각각 3300mm 내지 3900mm로하고 상기 제조된 편성물을 감량가공한다. 이렇게 제조된 편물은 순간 최대흡수율이 743%이고 최대흡수율이 875% 이상인 고흡수성의 효과를 나타낸다.

3. 수분전이성이 우수한 직물의 제조방법 및 이에 의해 제조된 직물

	출원번호 : 1020000042295  (2000.07.24) 등록일자 : 2002.04.08 출원인 : 주식회사 은성코퍼레이션 IPC : D03D 15/00 초록 : 본 발명은 PET 필라멘트를 사용하여 제직한 일면과 상기 일면에 PET/나일론 분할형 복합섬유를 사용하여 타면으로 한 이중직의 직물을 감량가공하는 것을 특징으로하는 수분전이성이 우수한 직물의 제조방법으로서 이에 의해 제조된 직물은 흡습 및 흡수한 수분을 외부로 빠르게 배출할 수 있다.

4. 표면과 이면의 소재가 다른 고흡수성 테리 직물 및 그의제조방법

	출원번호 : 1020020030538  (2002.05.31) 등록일자 : 2003.01.13 출원인 : 주식회사 은성코퍼레이션 IPC : D03D 27/08 초록 : 표면과 이면의 소재가 다른 고흡수성 테리직물이 개시된다. 그 구성은 지조직의 표면과 이면으로 파일사가 돌출 되어 있는 테리직물로서, 상기 지조직은 위사로서 면사와 경사로서 PET융착사 또는 PET융착사와 면사를 교대로 구성하여 형성되어 있으며, 상기 지조직의 하면파일은 10 ~ 60'S의 면사로 구성하고 상기 지조직의 상면파일은 분할 후 굵기가 0.5de이하의 PET/나일론 분할사로 되어 있으며, 상기 지조직의 상하면 파일사는 공히 1.0 ~ 3.0mm로 돌출되어 있음을 특징으로 한다.

5. 특수 사가공기술에 의해 제조된 고흡수성 복합사 및 이를이용해 제조한 직편물

	출원번호 : 1020010070044  (2001.11.12) 등록일자 : 2002.02.28 출원인 : 주식회사 은성코퍼레이션 IPC : D02G 3/28 초록 : 이 발명은 여러가닥의 실에 꼬임을 주어 합사된 복합사 및 이를 이용하여 제조한 직편물에 관한 것이다. 폴리에스테르 가연사인 심사에 상기 심사 1본에 대해 5본 이하의 비율로 PET/나일론 분할사, 폴리에스테르 필라멘트 가연사 또는 천연섬유류의 부사를 꼬임을 주어 합사하고 여기에 다시 PET 고착사를 합사하여서 제조되어진 것을 특징으로 한다. 본 발명의 복합사는 원사 및 직편물상태에서 소재에 고흡수성의 성질을 부여하여 목욕용 가운과 같은 의류용이나 수건, 헤어타월 등 일반 크리너와 같은 생활용품, 기타 청소용품 등에 이용될 수 있다.

6. 수분전이성이 우수한 편물의 제조방법 및 이에 의해제조된 편물

	출원번호 : 1020020004993  (2002.01.29) 등록일자 : 2002.04.24 출원인 : 주식회사 은성코퍼레이션 IPC : D04B 1/14 초록 : 본 발명은 PET 필라멘트를 이용하여 제편한 일면과 PET/나일론 분할형 복합섬유를 사용하여 타면으로 한 이중편물을 감량가공하는 것을 특징으로하는 수분전이성이 우수한 편물의 제조방법으로서 이에 의해 제조된 편물은 흡습 및 흡수한 수분을 외부로 빠르게 배출할 수 있다.

7. 수분전이 시험기

	출원번호 : 1020010056840  (2001.09.14) 등록일자 : 2004.07.29 출원인 : 주식회사 은성코퍼레이션 IPC : G01N 33/36 초록 : 본 발명은 소정의 물이 수용되는 저장조와, 조절밸브가 구비되며 상기 저장조에서 공급되는 물의 흐름을 제어하여 소정량으로 하방 사출시키는 사출수단과, 상기 사출수단과 소정의 거리로 이격되며 사출되는 물이 통과하는 지점에 시험 대상 직물을 위치시키는 직물지지수단과, 상기 사출수단의 조절밸브와 전기적으로 연결되며 사출되는 물이 일정시간 동안 균등량이 되도록 조절하는 제어수단과, 상기의 저장조 및 직물지지수단을 지지하는 지지구로 수분전이 시험기에 관한 것이다. 본 발명에 의하면, 사용자의 인의적인 조작없이 일정시간 동안 균등량의 물을 해당 직물에 떨어뜨릴 수 있고, 이로 인해 정확한 직물의 수분전이에 관한 데이터를 보다 용이하게 얻을 수 있는 이점이 있다.

8. 배치식 감량장치를 이용한 고흡수성 샤넬직물의 제조방법

	출원번호 : 1020030078985  (2003.11.10) 등록일자 : 2004.07.05 출원인 : 주식회사 은성코퍼레이션 IPC : D03D 27/18 초록 : 본 발명은 고흡수성 샤넬직물을 제조하는 방법에 관한 것으로서, 2 본의 심사 및 상기 심사가 교차하며 생기는 공간에 위사로서 포함되는 2 내지 4 본의 부사로 이루어진 샤넬사를 포함하는 샤넬직물의 제조방법에 대하여 개시하고 있다. 본 발명은 천연섬유를 이용하였을 때 발생하는 린터와 같은 실의 찌꺼기가 없는 쾌적소재인 고흡수성 샤넬직물을 제공하고, 흡수성 및 촉감 등이 우수한 극세사를 활용한 팬시얀이면서, 물리적 마찰이나 세탁 등에 의해 부사인 극세사가 쉽게 심사로부터 이탈하는 것을 방지할 수 있는 고흡수성 샤넬직물의 제조방법에 대하여 개시하고 있다.

9. 고흡수성 복합사를 이용해 제조한 직물

	출원번호 : 1020020050929  (2002.08.27) 등록일자 : 2003.03.24 출원인 : 주식회사 은성코퍼레이션 IPC : D03D 15/00 초록 : 심사의 주위에 부사가 코일 형태로 감겨 있고 상기 부사를 고착사에 의해 심사주위에 고착시켜 제조한 복합사를 이용하여 제조한 직물로서,상기 부사는 단사 섬도가 0.5 ~ 2.0de의 장섬유사이고 상기 부사의 총섬도는 상기 심사의 총 섬도보다 같거나 크고, 상기 부사의 심사에 대한 사장율(부사의 길이/심사의 길이 x 100)이 150% ~ 500% 이며 상기 직편물은 하니콤조직으로서 그 셀의 가로 및 세로의 크기가 각각 2.5mm ~ 10mm 임을 특징으로 하는 고흡수성 직물이 제시된다.

10. 와이퍼 절단장치

	출원번호 : 1020040066151  (2004.08.21) 등록일자 : 2004.12.01 출원인 : 주식회사 은성코퍼레이션 IPC : D06H 7/02 초록 : 본 발명은 와이퍼 절단장치에 관한 것으로서, 청정실에서 반도체의 생산을 위한 기계 등을 세척하기 위한 와이퍼를 일정 크기로 절단하여 생산하는 과정에서 초음파 발생기의 혼이 커팅롤의 이동에 따라 이동하도록 하여 다양한 규격의 와이퍼의 생산이 용이하도록 하며 고가의 혼의 크기를 줄여 생산단가를 절감하기 위하여 개발된 것으로; 본체의 후방과 상부에 형성되어 있는 다수의 로울러에 의하여 원단을 이송하는 이송부와; 상기 본체의 전방에 형성되어 원단의 상부와 하부를 고정하고 장력을 조절하여 일정크기로 원단을 절단하는 절단부와; 상기 원단의 이송량 및 기타 장치의 작동을 제어하는 제어조정부로 구성되는 와이퍼 절단장치로서, 상기 절단부는 모터에 의하여 회전하며 외주면을 따라 나사산이 형성되어 있는 제1 이송축과, 상기 제1 이송축이 삽입되어 상기 제1 이송축의 회전에 따라 좌우로 이송하는 커팅롤 이송대와, 회전하면서 상기 이송부에 의해 공급된 원단을 압착융착하고 절단하는 커팅롤과 융착롤로 구성되는 절단장치와; 상기 절단장치의 타측에 형성되어 제1 이송축과 동일한 회전을 하는 제2 이송축과, 상기 제2 이송축이 삽입되어 상기 제2 이송축의 회전에 따라 좌우로 이송하는 초음파발생기 이송대와, 상기 초음파발생기 이송대에 장착되는 초음파발생기와, 상기 초음파발생기에서 발진되는 초음파의 진폭을 확대하고 원단의 절단부 후방으로 초음파를 발진시켜 상기 융착롤과의 접촉으로 공급된 원단을 융착하는 혼으 로 구성되는 융착장치로 구성됨은 특징으로 하는 와이퍼 절단장치에 관한 것이다.

11. 고흡수성 샤넬사의 제조방법

	출원번호 : 1020030078983  (2003.11.10) 등록일자 : 2004.07.09 출원인 : 주식회사 은성코퍼레이션 IPC : D02G 3/42 초록 : 본 발명은 고흡수성 샤넬사에 관한 것으로서, 2 본의 심사 및 심사가 교차하며 생기는 공간에 위사로서 포함되는 2 내지 4 본의 부사로 이루어진 고흡수성 샤넬사의 제조방법에 대하여 개시하고 있다. 본 발명은 천연섬유를 이용하였을 때 발생하는 린터와 같은 실의 찌꺼기가 없는 쾌적소재인 고흡수성 샤넬사를 제공하고, 흡수성 및 촉감 등이 우수한 극세사를 활용한 팬시얀이면서, 물리적 마찰이나 세탁 등에 의해 부사인 극세사가 쉽게 심사로부터 이탈하는 것을 방지할 수 있는 고흡수성 샤넬사의 제조방법에 대하여 개시하고 있다.

12. 헤어터번

	출원번호 : 1020020069164  (2002.11.08) 등록일자 : 2003.05.02 출원인 : 주식회사 은성코퍼레이션 IPC : A45D 8/40 초록 : 본 발명은 머리를 감거나 샤워를 할 경우 젖은 머리카락을 건조시키거나 욕실 등에서 머리카락을 정리하거나 사우나, 마사지, 화장을 할 때 머리를 편리하게 관리할 수 있는 용품을 제공하기 위한 것으로, 탄성이 있으며 머리의 이마 둘레를 감싸도록 소정의 두께를 갖는 압박부와 상기 압박부에 연장 형성되어 있으며 상기 압박부보다 넓은 폭과 길이로 형성되어 이마위의 머리부분을 감싸도록 되는 커버부로 구성되는 헤어터번에 관한 것이며, 본 발명의 헤어터번을 이용함으로써, 샤워후 젖은 모발을 수건으로 비비거나 하지 않고도 물기를 건조시킬 수 있어 모발손상을 줄일 수 있고, 모발로부터 물기가 흘러내리는 것을 방지하여 사우나, 마사지, 화장을 할 때 머리를 편리하게 관리할 수 있게 된다.

 

 

그냥 참고만 하세요 허접한 분석이니...