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대주전자재 지난 10월 17일 특허받은 내용(시장에 알려지지 않음)
| 초록 | 본 발명은 유기 EL 소자(organic electroluminescence device)의 발광층 형성에 사용하기 위한 공액성(conjugated) 고분자-무기물 나노 복합체 조성물에 관한 것으로, 본 발명에 따라, 공액성 고분자 또는 고분자 전구체(precursor) 용액과 미립자 졸(particulate sol) 형태의 무기물 용액을 혼합 교반하여 얻은 균질한 복합체 용액은 기재에 코팅후 열처리하여 나노 복합체 박막으로 제조시, 나노 입자들의 응집이 없고 분산성이 향상되어 유기 EL 소자의 장시간 동작 특성을 개선하고, 종래의 졸-겔(sol-gel) 방법에서 발생하는 고분자의 공액 길이 감소 문제를 해결하여 고분자와 안정한 복합체를 이루고, 산소와 수분에 약한 고분자의 안정성을 향상시키고, 순수한 고분자 유기 EL 소자 보다 향상된 소자 특성을 나타낸다. |
| 대표청구항 | 공액성 고분자 또는 그의 전구체(PRECURSOR) 용액과 미립자 졸(PARTICULATE SOL) 형태의 무기물을 균질하게 혼합하여 제조된, 공액성(CONJUGATED) 고분자-무기물 나노 복합체 조성물.
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| IPC코드 | B22F 9/24 |
| 출원번호/일자 | 10-2003-0075370 (2003.10.28) |
| 공개번호/일자 | 10-2005-0040226 (2005.05.03) |
| 공고번호/일자 | - - |
| 등록번호/일자 | |
| 원출원권리 | |
| 원출원번호/일자 | |
| 최종처분내용 | |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 심사청구여부 | 있음 |
| 심사청구일자/항수 | 2003.10.28 / 2 |
지정국 |
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| 출원인 | 대주전자재료 주식회사 경기 시흥시 정왕*동 ****-** (대한민국) 이종협 서울 강남구 대치*동 은마아파트 **-***호 (대한민국) |
| 발명자/고안자 | 이종협 서울 강남구 대치*동 은마아파트 **-***호 (대한민국) 정경원 경기도성남시분당구초림동(양지마을)금호아파트***동***호 (대한민국) 김종호 경기도연천군전곡읍은대*리*반***-* (대한민국) |
| 대리인 | 강연승 경기 과천시 별양동 1-14 과천오피스텔 601호 (대한민국) |
| 우선권 정보 (국가/번호/일자) |
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| 출원의명칭 | 은 나노 입자의 제조방법 (Production Method of Nano-size Silver Particle) |
| 초록 | 본 발명에서는 상온상압에서 은 전구체의 농도가 높은 상태(AG
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| 대표청구항 | 상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 은 나노 입자의 제조방법은, 질산에 은을 용해하여 은 전구체인 질산은을 만드는 단계(A-1)와; (A-1) 단계에서 제조된 질산은을 물에 희석하고, 수산화 암모늄을 첨가하여 착이온을 형성시키는 단계(A-2)와; 분산제를 투입하여 단분산된 졸(SOL) 상태의 은 나노 입자를 제조하고, 수산화 나트륨으로 PH를 조절해 준 후, 포름알데히드로 환원시키는 단계(A-3); 및 오븐에서 건조하는 단계(A-4)를 포함하는 은 나노 입자의 제조방법. |
| IPC코드 | B22F 9/24 |
| 출원번호/일자 | 10-2000-0030679 (2000.06.05) |
| 공개번호/일자 | 10-2001-0109912 (2001.12.12) |
| 공고번호/일자 | - - (2002.12.31) |
| 등록번호/일자 | 10-0366283-0000 (2002.12.13) |
| 원출원권리 | |
| 원출원번호/일자 | |
| 최종처분내용 | 등록결정(일반) |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 심사청구여부 | 있음 |
| 심사청구일자/항수 | 2000.06.05 / 4 |
지정국 |
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| 출원인 | 대주전자재료 주식회사 경기 시흥시 정왕*동 ****-** (대한민국) |
| 발명자/고안자 | 이명진 대전광역시서구탄방동한양아파트*동***호 (대한민국) 김병규 경기도시흥시정왕동****-** (대한민국) 정경원 경기도성남시분당구수내동양지마을금호아파트***동***호 (대한민국) |
| 대리인 | 조인제 서울 강남구 역삼동 637-23 장현빌딩 3층(뉴코리아국제특허법률사무소) (대한민국) |
| 우선권 정보 (국가/번호/일자) |
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| 출원의명칭 | 인듐-주석 산화물의 초미립 분말의 제조방법 (Manufacturing method of Indium-Tin oxide ultra-finepowder) |
| 초록 | 투명 전도성을 갖는 인듐-주석 산화물은 균일한 10 내지 50㎚ 크기의 초미분체로서 높은 투과율은 물론 인듐 산화물의 결정 구조에서 일부 인듐 원자 대신 주석 원자를 도핑(doping)하여 우수한 전기적 특성을 갖도록 한 n형 반도체 재료이다. 본 발명은 우수한 광특성과 전기적으로 낮은 저항값을 갖는 인듐-주석 산화물의 초미립 분말을 새로운 수열산화법에 의하여 제조하는 방법을 제공하는 것으로서, 인듐-주석 수산화물의 액상의 슬러리를 수열산화시켜 50㎚ 이하의 초미립 분말을 대량생산할 수 있도록 하는 점에 특징이 있다. 또한, 아민류 및 알코올 등과 같은 유기용매를 사용하는 종래의 방법 대신 고급지방산으로 표면처리함으로써 1 ×10
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| 대표청구항 | (정정) 인듐-주석 산화물의 제조에 있어서, (1) 0.5 내지 2mol의 농도의 인듐을 포함하는 인듐 수용액과 상기 인듐 수용액 중의 인듐 대비 4 내지 25중량%의 주석을 포함하는 주석수용액의 혼합액을 준비하는 원료용액 준비단계; (2) 상기 원료용액에 젤라틴, 덱스트린, 폴리아크릴산 또는 이들 중 2이상의 혼합물로 이루어진 그룹 중에서 선택되는 어느 하나 의 분산제를 상기 원료용액 중의 인듐과 주석의 총량 대비 1 내지 10중량%의 양으로 투입하는 분산제 투입 단계; (3) 상기 원료용액에 수산화나트륨, 수산화칼륨, 암모니아수 등으로 이루어진 그룹 중에서 선택되는 어느 하나의 pH 조절제를 투입하여 인듐 이온과 주석이온을 침전시키는 침전단계; (4) 상기 침전단계에서의 침전물을 여과하여 분리하는 침전물분리단계; (5) 상기 침전물을 탈염수에 재 분산시켜 슬러리를 수득하는 재 분산단계; (6) 상기 슬러리에 과산화수소수(H 2 O 2 ), 과망간산칼륨, 차아염소산나트륨 또는 이들 중 2이상의 혼합물로 이루어진 그룹 중에서 선택되는 어느 하나 의 산화제를 상기 슬러리 중의 인듐 수산화물 및 주석수산화물의 총량 대비 5 내지 30중량%의 양으로 투입하고, 80 내지 250℃의 온도범위에서 8 내지 24시간 반응시키는 수열 산화단계; (7) 별도로 탄소수 8 내지 30의 알킬기를 갖는 고급지방산 또는 그의 염을 인듐 수산화물 및 주석 수산화물의 총량 대비 0.1 내지 5중량%를 포함하는 지방산용액을 준비하고, 상기 수열 산화에 의하여 형성되는 인듐 산화물과 주석산화물을 포함하는 반응용액을 60 내지 80℃의 온도에서 강하게 교반시키면서 상기 지방산용액을 가하여 반응시키는 표면처리단계; 및 (8) 표면처리된 인듐 산화물과 주석산화물을 여과에 의하여 분리하고, 건조시키고, 200 내지 450℃에서 열처리시켜 인듐-주석 산화물의 초미립 분말을 수득하는 후처리단계;를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 인듐-주석 산화물의 초미립 분말의 제조방법. |
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