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2006년의 희망 나노 4인방

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평민

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조회 336 2005/12/28 11:30

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플래닛82, 은성코퍼, 대주전자재료, 휴먼텍코리아 가 나노 4인방 입니다.

 

 

 

 

아래는 대주전자재료 입니다. 특허 받은내용 입니다.

 

 

 

  1. [특허실용] 전기절연용수지도료조성물

  10-1995-0041966  ( 1995.11.17 )  대주전자재료  등록  
본 발명은 세라믹 캐패시터등의 용도로 사용되는 내습성, 내열성, 절연성과 도막 외관이 미려한 전기, 전자부품의 외장용 전기절연용 수지도료 조성물에 관한 것으로, 본 발명에 따르면, 필수성분으로서, 융점 50∼100℃를 가지며 전체 조성물의 3∼30중량%의 페놀수지 또는 이것과 액상 또는 연화점 60℃이상의 에폭시 수지 30중량% 이하, 0.1∼10중량%의 왁스 성분, 충전제, 경화촉진제 및 첨가제로 구성되는 전기절연용 수지 도료 조성물이 제공됨으로써, 생산공정의 자동화 및 단순화로 내습성에 손상을 주지 않으면서 생산량의 증대와 내크랙성, 도장후 외관이 뛰어난 특성을 가진다. 본 발명은 페놀수지계 및 페놀 변성 에폭시 수지계 도료에 관해서 보다 구체적으로는 세라믹 캐패시터용으로서 내습성, 내열성, 절연성과 도... 
  2. [특허실용] 이산화루테늄 분말의 제조 방법
  10-1997-0046696  ( 1997.09.11 )  대주전자재료  등록  
본 발명은 이산화루테늄(RuO2) 분말의 제조 방법에 관한 것으로, 구체적으로는 루테늄 금속 스폰지를 강산 또는 강염기, 및 산화제의 수용액에 가하여 루테늄산염 수용액을 얻는 단계; 이 루테늄산염 수용액에 산가가 300 이상인 카르복실산계 화합물을 가하여 루테늄 수산화물을 석출하는 단계; 루테늄산 수산화물을 증류수, 탄소수가 5 내지 20 개인 알킬기 사슬을 가지는 카르복실산계 화합물 또는 염의 수용액으로 각각 세정하고, 여과 및 건조시켜 루테늄 수산화물 분말을 얻는 단계; 및 루테늄 수산화물 분말을 400 내지 600 ℃에서 배소하여 이산화루테늄 분말을 얻는 단계를 포함하며, 가격이 저렴한 원재료를 사용하고 분쇄 공정이 없으며 제조된 이산화루테늄 분말이 입도가 균일하며 잔존하는 불순물 이온의 함량이 작고 ... 
  3. [특허실용] 수산화마그네슘 미립자의 제조방법
  10-1996-0020850  ( 1996.06.11 )  대주전자재료  등록  
본 발명은 수산화마그네슘 미립자의 제조방법에 관한 것으로, 특히 합성된 입자의 과다한 응집을 막을 수 있고, 반응시간을 줄여 에너지 소모량을 줄일 수 있는 수산화마그네슘 미립자의 제조방법에 관한 것이다.상기한 본 발명의 제조방법은 10-50℃ 사이의 제1반응온도에서 마그네슘 염 용액에 알카리 용액을 투입하여 pH 9-11 범위의 수산화마그네슘 슬러리를 얻는 제1공정과, 상기 수산화마그네슘 슬러리를 70-100℃ 사이의 제2반응온도로 유지하면서 다수 회 마그네슘 염을 투입하여 수산화마그네슘 입자의 합성과 동시에 결정 성장시키는 제2공정으로 구성되는 것을 특징으로 한다.이 경우 본 발명의 제조방법에서는 저온 반응 공법을 채용하고 있으므로 종래에 비하여 에너지 소모량이적고, 반응 시간도 상당히 단축되었다. 또한 ... 
  4. [특허실용] 전극용 도전 페이스트 조성물
  10-2000-0031763  ( 2000.06.09 )  대주전자재료  등록  
발명은 전극용 도전 페이스트에 관한 것으로, 평균입경 0.8 내지 4 ㎛ 범위의 도전성 분말 100 중량부, 평균입경 0.02 내지 0.1 ㎛ 범위의 도전성 미립자 3 내지 30 중량부, 유리 프릿(glass frit) 0 내지 10 중량부 및 유기 비히클 3 내지 30 중량부를 포함하는 본 발명의 도전 페이스트 조성물은, 저온에서 소성가능하고 기재에 대한 접착성이 좋고 저 저항성인 미세 전극 패턴을 제공할 수 있다. 본 발명은 전극용 도전 페이스트에 관한 것으로, 평균입경 0.8 내지 4 ㎛ 범위의 도전성 분말 100 중량부, 평균입경 0.02 내지 0.1 ㎛ 범위의 도전성 미립자 3 내지 30 중량부, 유리 프릿(glass frit) 0 내지 10 중량부 및 유기 비히클 3 내지 30 중량부를 포함하... 
  5. [특허실용] 리튬을 포함하는 백색 발광다이오드용 알루미늄산이트륨황색 형광체 및 그 제조방법
  10-2001-0013057  ( 2001.03.14 )  대주전자재료|한국화학연구원  등록  
본 발명은 알루미늄산이트륨(Y 3 Al 5 O 12 )에 공부활제로 산화세륨과 탄산리튬을 첨가함으로써 청색 발광다이오드로부터 발생되는 청색광원 여기 하에서 발광휘도가 우수하고, 백색 발광다이오드용으로 적합한 하기 화학식 1로 표시되는 알루미늄산이트륨 황색 형광체 및 그 제조방법에 관한 것이다. 화학식 1 (Y 1-a-b Ce a Li b ) 3 Al 5 O 12 상기식에서, 0.005 ≤a ≤0.02이고, 0.01 ≤b ≤0.025이다. 본 발명은 알루미늄산이트륨(Y3Al5O12)에 공부활제로 산화세륨과 탄산리튬을 첨가함으로써 청색 발광다이오드로부터 발생되는 청색광원 여기 하에서 발광휘도가 우수하고, 백색 발광다이오드용으로 적합한 하기 화학식 1로 표시되는 알루미늄산이트륨 황색 형광체 및 그 제조방법에 관한... 
  6. [특허실용] 툴리움을 포함하는 백색 발광다이오드용 알루미늄산이트륨황색 형광체 및 그 제조방법
  10-2000-0084132  ( 2000.12.28 )  대주전자재료|한국화학연구원  등록  
본 발명은 알루미늄산이트륨에 공부활제로 산화세륨과 산화툴리움을 첨가함으로써 청색 발광다이오드로부터 발생되는 청색광원 여기 하에서 발광휘도가 우수하고, 백색 발광다이오드용으로 적합한 알루미늄산이트륨 황색 형광체 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 하기 화학식 1로 표시되는 툴리움을 포함하는 백색 발광다이오드용 알루미늄산이트륨 황색 형광체를 제공한다. 화학식 1 (Y 1-a-b Ce a Tm b ) 3 Al 5 O 12 상기 식에서, a는 0.005≤a≤0.03 이고, b는 0≤b≤0.025 임 본 발명은 알루미늄산이트륨에 공부활제로 산화세륨과 산화툴리움을 첨가함으로써 청색 발광다이오드로부터 발생되는 청색광원 여기 하에서 발광휘도가 우수하고, 백색 발광다이오드용으로 적합한 알루미늄산이트륨 황색 형광체 및 그 제조... 
  7. [특허실용] 툴리움을 포함하는 저전압용 청색 형광체 및 그 제조방법
  10-2000-0055830  ( 2000.09.22 )  대주전자재료|한국화학연구원  등록  
본 발명은 형광 표시관의 발광부에 사용되고, 전자선으로 여기되어 발광하는 갈륨산아연계 청색 형광체 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 형광체 모체인 갈륨산아연(ZnGa 2 O 4 )에 공부활제로 산화툴리움과 탄산리튬을 첨가함으로써 저속 전자선에서 발광휘도와 색순도가 우수하고, 고진공에서도 안정한 물성을 가지며, 저전압 전자선 여기에 의해 구동하는 전계방출디스플레이(Field Emission Display ; FED)에 적합하도록 고휘도를 갖는 하기 화학식 1로 표시되는 갈륨산아연계 청색 형광체 및 그 제조방법에 관한 것이다. 화학식 1 (Zn 1-a Li a )(Ga 1-b Tm b ) 2 O 4 상기 화학식 1에서 0.05≤a≤0.25이고, 0≤b≤0.1이다. 본 발명은 형광 표시관의 발광부... 
  8. [특허실용] 은/루테늄계 저항 페이스트 조성물
  10-2001-0021701  ( 2001.04.23 )  대주전자재료  등록  
본 발명은 은/루테늄계 저항 페이스트 조성물에 관한 것으로서, 루테늄계 산화물 분말 및 은 분말을 도전성 물질로서 각각 5 내지 50 중량% 포함하고, 유리 분말 5 내지 35 중량% 및 유기 결합제 10 내지 45 중량%를 포함하는 본 발명에 따른 조성물은 저항체 크기에 따른 시트저항값 및 온도저항계수의 변화가 적고 낮은 시트저항값 및 온도저항계수를 가짐과 동시에 저항체와 전극 계면의 변색 현상을 억제하여 저항기의 저항체로서 유용하게 적용될 수 있다. 본 발명은 은/루테늄계 저항 페이스트 조성물에 관한 것으로서, 루테늄계 산화물 분말 및 은 분말을 도전성 물질로서 각각 5 내지 50 중량% 포함하고, 유리 분말 5 내지 35 중량% 및 유기 결합제 10 내지 45 중량%를 포함하는 본 발명에 따른 조성물은... 
  9. [특허실용] 직접메탄올 연료전지용 이온교환막
  10-2001-0016967  ( 2001.03.30 )  대주전자재료  거절  
본 발명은 직접메탄올 연료전지(direct type methanol fuel cell) 제작에 유용한 이온교환막에 관한 것으로, 본 발명에 따라 술폰화된 스티렌-에틸렌/부틸렌-스티렌 삼원 블록 공중합체를 이용한 이온교환막은 술폰산기의 농도가 높아 도전성이 우수할 뿐만 아니라 내구성이 좋고 유연한 얇은 막을 형성할 수 있어, 직접메탄올 연료전지용 전해질로 유용하게 사용할 수 있다. 
  10. [특허실용] 흑색층 형성용 흑색 페이스트 조성물
  10-2000-0031765  ( 2000.06.09 )  대주전자재료  등록  
본 발명은 흑색 박막 형성에 유용한 흑색 페이스트 조성물에 관한 것으로, 비표면적 5 내지 40 m 2 /g 범위의 루테늄계 다산화물 미분말 15 내지 25 중량부, 평균입경 0.2 내지 2 ㎛ 범위 및 최대 크기 5 ㎛ 이하의 유리 프릿(glass frit) 40 내지 85 중량부 및 유기 비히클 8 내지 40 중량부를 포함하는 것을 특징으로 하는 본 발명의 흑색 페이스트는, 유리 기판 또는 세라믹 기판 상에 치밀하고 흑색도가 높으며 여러 물성이 우수한 흑색 박막 패턴을 제공할 수 있다. 본 발명은 흑색 박막 형성에 유용한 흑색 페이스트 조성물에 관한 것으로, 비표면적 5 내지 40 m2/g 범위의 루테늄계 다산화물 미분말 3 내지 30 중량%, 평균입경 0.2 내지 2 ㎛ 범위 및 최대 크기 5 ㎛ 이하... 
  11. [특허실용] 흑색층 형성용 흑색 페이스트 조성물
  10-2000-0031764  ( 2000.06.09 )  대주전자재료  등록  
본 발명은 흑색층의 형성에 유용한 흑색 페이스트 조성물에 관한 것으로, 페로스피넬 분말 15 내지 25 중량부, 유리 프릿(glass frit) 40 내지 85 중량부 및 유기 비히클(organic vehicle) 8 내지 40 중량부를 포함하는 것을 특징으로 하는 본 발명의 흑색 페이스트는 유리 기판 또는 세라믹 기판 상에 치밀하고 흑색도가 높으며 여러 물성이 우수한 박막 패턴을 제공할 수 있으며 전극의 갈변화를 일으키지 않는다. 본 발명은 흑색층의 형성에 유용한 흑색 페이스트 조성물에 관한 것으로, 페로스피넬 분말 3 내지 30 중량%, 유리 프릿(glass frit) 70 내지 90 중량% 및 유기 비히클(organic vehicle) 3 내지 20 중량%를 포함하는 것을 특징으로 하는 본 발명의 흑색... 
  12[특허실용] 인듐-주석 산화물의 초미립 분말의 제조방법
  10-2000-0030679  ( 2000.06.05 )  대주전자재료  등록  
투명 전도성을 갖는 인듐-주석 산화물은 균일한 10 내지 50㎚ 크기의 초미분체로서 높은 투과율은 물론 인듐 산화물의 결정 구조에서 일부 인듐 원자 대신 주석 원자를 도핑(doping)하여 우수한 전기적 특성을 갖도록 한 n형 반도체 재료이다. 본 발명은 우수한 광특성과 전기적으로 낮은 저항값을 갖는 인듐-주석 산화물의 초미립 분말을 새로운 수열산화법에 의하여 제조하는 방법을 제공하는 것으로서, 인듐-주석 수산화물의 액상의 슬러리를 수열산화시켜 50㎚ 이하의 초미립 분말을 대량생산할 수 있도록 하는 점에 특징이 있다. 또한, 아민류 및 알코올 등과 같은 유기용매를 사용하는 종래의 방법 대신 고급지방산으로 표면처리함으로써 1 ×10 2 Ω/mm 2 정도의 낮은 저항값을 갖는 인듐-주석 산화물의 분말을 제공한다... 
  13. [특허실용] 수산기함유 에폭시 수지 경화제 및 이를 포함하는 에폭시수지 분체 도료 조성물
  10-2000-0023916  ( 2000.05.04 )  대주전자재료  거절  
본 발명은 하기 화학식 1의 수산기함유 에폭시 수지 경화제 및 이를 포함하는 에폭시 수지계 분체도료 조성물에 관한 것으로, 에폭시 기재 수지 및 경화제를 포함하는 에폭시 수지계 분체 도료 조성물에 있어서, 상기 경화제로서 화학식 1의 경화제를 함유하는 것을 특징으로 하는 본 발명의 도료 조성물은 내열 충격 특성 및 보존 안정성이 우수하다: 상기식에서, n은 1 내지 10 이다. 
  14. [특허실용] 인쇄회로기판의 관통구멍 충진용 은동 페이스트 조성물
  10-2000-0028071  ( 2000.05.24 )  대주전자재료  등록  
본 발명은 전도체로서 은과 동의 혼합물을 포함하며, 인쇄회로기판의 관통구멍에 충진되어 관통전극을 형성하는데 사용될 수 있는 은동 페이스트 조성물에 관한 것이다. 본 발명에 따른 인쇄회로기판의 관통구멍 충진용 은동 페이스트 조성물은 전도체로서 은 분말과 동 분말을 혼합한 금속혼합물 35 내지 75중량%, 바인더로서 열경화성수지 5 내지 20중량%, 분산제 0.1 내지 3중량% 및 잔량으로서 유기용제를 포함하여 이루어진다. 따라서, 전도체로서 은 분말 만을 사용하던 종래의 은 페이스트 조성물에 비해 은 분말에 동 분말을 혼합한 금속혼합물을 전도체로 사용함으로써 우수한 전기전도성 및 퍼짐성 등을 가지며, 자원절약 및 원가절감을 기대할 수 있는 은동 페이스트 조성물을 제공하는 효과가 있다. 본 발명은 전도체로서 은... 
  15. [특허실용] 칩 저항기 이차전극용 전도성 페이스트 조성물
  10-2000-0051928  ( 2000.09.04 )  대주전자재료  등록  
본 발명은 칩 저항기 이차전극용 전도성 페이스트 조성물에 관한 것으로서, 은 분말 40 내지 50 중량%; 에틸셀룰로즈, 말레산 변형수지, 페놀 변성수지 및 제 1 유기용매로 이루어진 유기바인더 30 내지 46 중량%; 글라스 프릿(glass frit) 7 내지 13 중량%; 소결촉진제 및 수축억제제로 이루어진 첨가제 3 내지 7 중량%; 및 제 2 유기용매 0.5 내지 3 중량%를 포함하는, 본 발명에 따른 칩 저항기 이차전극용 전도성 페이스트 조성물은 우수한 전도성을 갖는 안정적인 형상의 칩 저항기 이차전극을 형성할 수 있다. 본 발명은 칩 저항기 이차전극용 전도성 페이스트 조성물에 관한 것으로서, 은 분말 40 내지 50 중량%; 에틸셀룰로즈, 말레산 변형수지, 페놀 변성수지 및 유기용매로 이루어진 유... 
  16. [특허실용] 전기발열체용 저항 페이스트 조성물
  10-2000-0051585  ( 2000.09.01 )  대주전자재료  등록  
본 발명은 전기발열체용 저항 페이스트 조성물에 관한 것으로, 비표면적 5 내지 30 m 2 /g 범위의 루테늄 금속 또는 산화물 분말 5 내지 75 중량%, 평균입경 0.1 내지 3 ㎛ 범위 및 최대 입자 크기 7 ㎛ 이하의 Ag계 분말 5 내지 75 중량%, 연화점 400 내지 550 ℃ 범위의 유리 프릿 (glass frit) 5 내지 40 중량% 및 유기 바인더 5 내지 45 중량%를 포함하는 것을 특징으로 하는 본 발명의 저항 페이스트 조성물은 600℃ 이하의 온도에서 소결가능하여 사용 기판에 제약이 없으며 물리화학적으로 안정하고 단시간 내에 온도상승되는 전기발열층을 형성할 수 있다. 본 발명은 전기발열체용 저항 페이스트 조성물에 관한 것으로, 비표면적 5 내지 30 m2/g 범위의 루테늄 금속 또는... 
  17. [특허실용] 전기발열체용 저온 열처리 저항 페이스트의 조성물 및 그제조 방법
  10-1999-0058533  ( 1999.12.17 )  대주전자재료  취하  
본 발명은 Ru계 화합물, Ag계 화합물, Glass의 분말들이 유기물 매체에 분포되어 있는 페이스트가 특정물체(기판 등)에 도포되어 낮은 온도(600℃ 이하)에서 열처리하여도 물리·화학적으로 안정한 후막(또는 코팅)층을 형성하여 전극 등을 통해 가해주는 전기작용에 의해 발열을 일으키는 전기발열체용 저온 열처리 저항 페이스트 조성물에 관한 것이다. 
  18. [특허실용] 고체 고분자 전해질막 연료전지용 세퍼레이터
  10-2003-0032160  ( 2003.05.21 )  대주전자재료  공개  
본 발명은 수지 기판 및 이 기판 위에 형성된 도전성 코팅층을 포함하는, 고체 고분자 전해질막 연료전지용 세퍼레이터(separator)에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 세퍼레이터는 내열성, 기계적 강도, 전기전도도, 내산화성 및 내산성 등의 물성이 우수하고 적은 비용으로 대량생산이 가능하여 고체 고분자 전해질막 연료전지에 전극으로서 유용하게 사용될 수 있다. 
  19. [특허실용] 이산화티탄 나노입자의 제조방법
   10-2003-0033180  ( 2003.05.24 )  대주전자재료|이종협  등록  
본 발명은 이산화티탄 나노 입자를 제조하는 방법에 관한 것으로, 입도 분포 및 결정성이 우수하여 광 특성이 우수한 이산화티탄 나노 입자의 제조방법을 제공하는 것이 목적이다. 본 발명의 이산화티탄 나노 입자의 제조방법은, 전구물질인 티타늄테트라이소프로폭사이드(TITANIUMTETRAISOPROPOXIDE, TTIP)를 초순수에 점적하여 수화 반응시키는 단계(A-1)와, (A-1) 단계에서 형성된 침전물을 여과하고, 초순수로 세척하여 불순물을 제거한 후, 건조시켜 무정질의 이산화티탄 분말을 제조하는 단계(A-2)와, (A-2) 단계에서 제조된 무정질의 이산화티탄 입자와 해교제를 고압반응기에서 반응시켜 이산화티탄 졸을 형성하는 단계(B)와, 승온하여 이산화티탄 졸을 이산화티탄 입자로 성장시키는 단계(C-1)와, ... 
  20. [특허실용] 복합재료 고체 고분자 전해질막, 이의 제조방법 및 이를이용한 연료전지
  10-2003-0015407  ( 2003.03.12 )  대주전자재료  등록  
본 발명은 강화재로 막재료를 강화시킨 고체 고분자 전해질막, 이의 제조방법 및 이를 이용한 연료전지에 관한 것으로, 고체 고분자 전해질막을 구성하는 고분자 원료와 친화성이 좋은 강화재로 강화시킨, 본 발명에 따른 복합재료 고체 고분자 전해질막은 막 두께가 얇으면서도 기계적 강도, 친수성, 전기전도도, 내열성 및 내구성이 우수하고, 적은 비용으로 대량생산이 가능하여 고체 고분자 전해질막 연료전지에 유용하게 사용될 수 있다. 본 발명은 강화재로 막재료를 강화시킨 고체 고분자 전해질막, 이의 제조방법 및 이를 이용한 연료전지에 관한 것으로, 고체 고분자 전해질막을 구성하는 고분자 원료와 친화성이 좋은 강화재로 강화시킨, 본 발명에 따른 복합재료 고체 고분자 전해질막은 막 두께가 얇으면서도 기계적 강도, 친수성, ... 
  21. [특허실용] 고체 고분자 전해질막 연료전지
  10-2002-0067385  ( 2002.11.01 )  대주전자재료  등록  
본 발명은 유기 고분자와 물로 이루어진 겔 및 이 겔 중에 분산된 도전성 분말을 포함하는, 고체 고분자 전해질막 연료전지용 도전성 하이드로겔(HYDROGEL)에 관한 것으로, 본 발명에 따른 도전성 하이드로겔은 고체 고분자 전해질막과 세퍼레이터 간의 전기적 접촉저항을 감소시키고 조립시 전해질막에 가해지는 조임 압력을 완화시켜 주므로, 고체 고분자 전해질막 연료전지에 유용하게 사용될 수 있다. 본 발명은 유기 고분자와 물로 이루어진 겔 및 이 겔 중에 분산된 도전성 분말을 포함하는, 고체 고분자 전해질막 연료전지용 도전성 하이드로겔(HYDROGEL)에 관한 것으로, 본 발명에 따른 도전성 하이드로겔은 고체 고분자 전해질막과 세퍼레이터 간의 전기적 접촉저항을 감소시키고 조립시 전해질막에 가해지는 조임 압력을 완... 
  22. [특허실용] 은 나노 입자의 제조방법
  10-2003-0075370  ( 2003.10.28 )  대주전자재료|이종협  공개  
본 발명에서는 상온상압에서 은 전구체의 농도가 높은 상태(AG+기준 0.2M)에서 반응시켜 평균직경 5NM의 입도 분포가 우수한 은 나노 입자를 제조하는 방법 및 은 나노 입자의 입도를 수요자가 원하는 크기로 조절하는 방법이 제시된다. 본 발명의 은 나노 입자 제조방법은 질산에 은을 용해하여 은 전구체인 질산은을 만드는 단계(A-1)와; (A-1) 단계에서 제조된 질산은을 물에 희석하고, 수산화 암모늄을 첨가하여 착이온을 형성시키는 단계(A-2)와; 분산제를 투입하여 단분산된 졸(SOL) 상태의 은 나노 입자를 제조하고, 수산화 나트륨으로 PH를 조절해 준 후, 포름알데히드로 환원시키는 단계(A-3); 및 오븐에서 건조하는 단계(A-4)를 포함한다. 
  23. [특허실용] 이온교환막 및 이를 이용한 직접 메탄올 연료전지
  10-2002-0049945  ( 2002.08.23 )  대주전자재료  등록  
본 발명은 물성이 우수한 이온교환막 및 이를 이용한 직접 메탄올 연료전지에 관한 것으로, 에폭시 수지-티오알킬술폰산염 또는 에폭시 수지-티오알킬페닐술폰산염 부가물을 경화제 존재하에 가교반응시켜 성막된, 본 발명에 따른 이온교환막은 유연성, 물리적 강도, 내열성 및 내구성이 우수하고 연료 메탄올의 막투과율이 낮아, 직접 메탄올 연료전지에 사용되어 전지의 전기적 성능을 향상시킨다. 본 발명은 물성이 우수한 이온교환막 및 이를 이용한 직접 메탄올 연료전지에 관한 것으로, 에폭시 수지-티오알킬술폰산염 또는 에폭시 수지-티오알킬페닐술폰산염 부가물을 경화제 존재하에 가교반응시켜 성막된, 본 발명에 따른 이온교환막은 유연성, 물리적 강도, 내열성 및 내구성이 우수하고 연료 메탄올의 막투과율이 낮아, 직접 메탄올 연료전지... 
  24. [특허실용] 유기 EL 소자의 발광층용 공액성 고분자-무기물 나노복합체 조성물
  10-2002-0022188  ( 2002.04.23 )  대주전자재료|윤기현  등록  
본 발명은 유기 EL 소자(ORGANIC ELECTROLUMINESCENCE DEVICE)의 발광층 형성에 사용하기 위한 공액성(CONJUGATED) 고분자-무기물 나노 복합체 조성물에 관한 것으로, 본 발명에 따라, 공액성 고분자 또는 고분자 전구체(PRECURSOR) 용액과 미립자 졸(PARTICULATE SOL) 형태의 무기물 용액을 혼합 교반하여 얻은 균질한 복합체 용액은 기재에 코팅후 열처리하여 나노 복합체 박막으로 제조시, 나노 입자들의 응집이 없고 분산성이 향상되어 유기 EL 소자의 장시간 동작 특성을 개선하고, 종래의 졸-겔(SOL-GEL) 방법에서 발생하는 고분자의 공액 길이 감소 문제를 해결하여 고분자와 안정한 복합체를 이루고, 산소와 수분에 약한 고분자의 안정성을 향상시키고, 순수한 고분... 
  25. [특허실용] 리튬을 포함하는 야그계 황색형광체 및 이의 제조방법
  10-2002-0016951  ( 2002.03.28 )  대주전자재료|한국화학연구원  거절  
본 발명은 야그계 황색형광체 및 이의 제조방법에 관한 것으로서, 하기 화학식 1로 표시되는, 본 발명에 따른 야그계 황색형광체는 청색 발광다이오드로부터 발생되는 청색광원 여기 하에서 우수한 발광 휘도를 나타내어 고휘도 백색 발광다이오드에 유용하게 사용될 수 있다:(Y1-a-b-cGdaCebLic)3(Al1-dGad)5O12상기 식에서, 0.5≤a≤0.8, 0.007≤b≤0.025, 0<c≤0.02 및 0<d≤0.5이다. 
[특허실용] 전기절연용수지도료조성물
  10-1995-0041966  ( 1995.11.17 )  대주전자재료  등록  
본 발명은 세라믹 캐패시터등의 용도로 사용되는 내습성, 내열성, 절연성과 도막 외관이 미려한 전기, 전자부품의 외장용 전기절연용 수지도료 조성물에 관한 것으로, 본 발명에 따르면, 필수성분으로서, 융점 50∼100℃를 가지며 전체 조성물의 3∼30중량%의 페놀수지 또는 이것과 액상 또는 연화점 60℃이상의 에폭시 수지 30중량% 이하, 0.1∼10중량%의 왁스 성분, 충전제, 경화촉진제 및 첨가제로 구성되는 전기절연용 수지 도료 조성물이 제공됨으로써, 생산공정의 자동화 및 단순화로 내습성에 손상을 주지 않으면서 생산량의 증대와 내크랙성, 도장후 외관이 뛰어난 특성을 가진다. 본 발명은 페놀수지계 및 페놀 변성 에폭시 수지계 도료에 관해서 보다 구체적으로는 세라믹 캐패시터용으로서 내습성, 내열성, 절연성과 도... 
  32. [특허실용] 이산화루테늄 분말의 제조 방법
  10-1997-0046696  ( 1997.09.11 )  대주전자재료  등록  
본 발명은 이산화루테늄(RuO2) 분말의 제조 방법에 관한 것으로, 구체적으로는 루테늄 금속 스폰지를 강산 또는 강염기, 및 산화제의 수용액에 가하여 루테늄산염 수용액을 얻는 단계; 이 루테늄산염 수용액에 산가가 300 이상인 카르복실산계 화합물을 가하여 루테늄 수산화물을 석출하는 단계; 루테늄산 수산화물을 증류수, 탄소수가 5 내지 20 개인 알킬기 사슬을 가지는 카르복실산계 화합물 또는 염의 수용액으로 각각 세정하고, 여과 및 건조시켜 루테늄 수산화물 분말을 얻는 단계; 및 루테늄 수산화물 분말을 400 내지 600 ℃에서 배소하여 이산화루테늄 분말을 얻는 단계를 포함하며, 가격이 저렴한 원재료를 사용하고 분쇄 공정이 없으며 제조된 이산화루테늄 분말이 입도가 균일하며 잔존하는 불순물 이온의 함량이 작고 ... 
  33. [특허실용] 수산화마그네슘 미립자의 제조방법
  10-1996-0020850  ( 1996.06.11 )  대주전자재료  등록  
본 발명은 수산화마그네슘 미립자의 제조방법에 관한 것으로, 특히 합성된 입자의 과다한 응집을 막을 수 있고, 반응시간을 줄여 에너지 소모량을 줄일 수 있는 수산화마그네슘 미립자의 제조방법에 관한 것이다.상기한 본 발명의 제조방법은 10-50℃ 사이의 제1반응온도에서 마그네슘 염 용액에 알카리 용액을 투입하여 pH 9-11 범위의 수산화마그네슘 슬러리를 얻는 제1공정과, 상기 수산화마그네슘 슬러리를 70-100℃ 사이의 제2반응온도로 유지하면서 다수 회 마그네슘 염을 투입하여 수산화마그네슘 입자의 합성과 동시에 결정 성장시키는 제2공정으로 구성되는 것을 특징으로 한다.이 경우 본 발명의 제조방법에서는 저온 반응 공법을 채용하고 있으므로 종래에 비하여 에너지 소모량이적고, 반응 시간도 상당히 단축되었다. 또한 ... 
  34. [특허실용] 고체 고분자 전해질막 연료전지용 세퍼레이터
  10-2003-0032160  ( 2003.05.21 )  대주전자재료  공개  
본 발명은 수지 기판 및 이 기판 위에 형성된 도전성 코팅층을 포함하는, 고체 고분자 전해질막 연료전지용 세퍼레이터(separator)에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 세퍼레이터는 내열성, 기계적 강도, 전기전도도, 내산화성 및 내산성 등의 물성이 우수하고 적은 비용으로 대량생산이 가능하여 고체 고분자 전해질막 연료전지에 전극으로서 유용하게 사용될 수 있다. 
  35. [특허실용] 이산화티탄 나노입자의 제조방법
  10-2003-0033180  ( 2003.05.24 )  대주전자재료|이종협  등록  
본 발명은 이산화티탄 나노 입자를 제조하는 방법에 관한 것으로, 입도 분포 및 결정성이 우수하여 광 특성이 우수한 이산화티탄 나노 입자의 제조방법을 제공하는 것이 목적이다. 본 발명의 이산화티탄 나노 입자의 제조방법은, 전구물질인 티타늄테트라이소프로폭사이드(TITANIUMTETRAISOPROPOXIDE, TTIP)를 초순수에 점적하여 수화 반응시키는 단계(A-1)와, (A-1) 단계에서 형성된 침전물을 여과하고, 초순수로 세척하여 불순물을 제거한 후, 건조시켜 무정질의 이산화티탄 분말을 제조하는 단계(A-2)와, (A-2) 단계에서 제조된 무정질의 이산화티탄 입자와 해교제를 고압반응기에서 반응시켜 이산화티탄 졸을 형성하는 단계(B)와, 승온하여 이산화티탄 졸을 이산화티탄 입자로 성장시키는 단계(C-1)와, ... 
  36. [특허실용] 복합재료 고체 고분자 전해질막, 이의 제조방법 및 이를이용한 연료전지
  10-2003-0015407  ( 2003.03.12 )  대주전자재료  등록  
발명은 강화재로 막재료를 강화시킨 고체 고분자 전해질막, 이의 제조방법 및 이를 이용한 연료전지에 관한 것으로, 고체 고분자 전해질막을 구성하는 고분자 원료와 친화성이 좋은 강화재로 강화시킨, 본 발명에 따른 복합재료 고체 고분자 전해질막은 막 두께가 얇으면서도 기계적 강도, 친수성, 전기전도도, 내열성 및 내구성이 우수하고, 적은 비용으로 대량생산이 가능하여 고체 고분자 전해질막 연료전지에 유용하게 사용될 수 있다. 본 발명은 강화재로 막재료를 강화시킨 고체 고분자 전해질막, 이의 제조방법 및 이를 이용한 연료전지에 관한 것으로, 고체 고분자 전해질막을 구성하는 고분자 원료와 친화성이 좋은 강화재로 강화시킨, 본 발명에 따른 복합재료 고체 고분자 전해질막은 막 두께가 얇으면서도 기계적 강도, 친수성, ... 
  37. [특허실용] 고체 고분자 전해질막 연료전지
  10-2002-0067385  ( 2002.11.01 )  대주전자재료  등록  
본 발명은 유기 고분자와 물로 이루어진 겔 및 이 겔 중에 분산된 도전성 분말을 포함하는, 고체 고분자 전해질막 연료전지용 도전성 하이드로겔(HYDROGEL)에 관한 것으로, 본 발명에 따른 도전성 하이드로겔은 고체 고분자 전해질막과 세퍼레이터 간의 전기적 접촉저항을 감소시키고 조립시 전해질막에 가해지는 조임 압력을 완화시켜 주므로, 고체 고분자 전해질막 연료전지에 유용하게 사용될 수 있다. 본 발명은 유기 고분자와 물로 이루어진 겔 및 이 겔 중에 분산된 도전성 분말을 포함하는, 고체 고분자 전해질막 연료전지용 도전성 하이드로겔(HYDROGEL)에 관한 것으로, 본 발명에 따른 도전성 하이드로겔은 고체 고분자 전해질막과 세퍼레이터 간의 전기적 접촉저항을 감소시키고 조립시 전해질막에 가해지는 조임 압력을 완... 
  38. [특허실용] 은 나노 입자의 제조방법
  10-2003-0075370  ( 2003.10.28 )  대주전자재료|이종협  공개  
본 발명에서는 상온상압에서 은 전구체의 농도가 높은 상태(AG+기준 0.2M)에서 반응시켜 평균직경 5NM의 입도 분포가 우수한 은 나노 입자를 제조하는 방법 및 은 나노 입자의 입도를 수요자가 원하는 크기로 조절하는 방법이 제시된다. 본 발명의 은 나노 입자 제조방법은 질산에 은을 용해하여 은 전구체인 질산은을 만드는 단계(A-1)와; (A-1) 단계에서 제조된 질산은을 물에 희석하고, 수산화 암모늄을 첨가하여 착이온을 형성시키는 단계(A-2)와; 분산제를 투입하여 단분산된 졸(SOL) 상태의 은 나노 입자를 제조하고, 수산화 나트륨으로 PH를 조절해 준 후, 포름알데히드로 환원시키는 단계(A-3); 및 오븐에서 건조하는 단계(A-4)를 포함한다. 
  39. [특허실용] 이온교환막 및 이를 이용한 직접 메탄올 연료전지
  10-2002-0049945  ( 2002.08.23 )  대주전자재료  등록  
본 발명은 물성이 우수한 이온교환막 및 이를 이용한 직접 메탄올 연료전지에 관한 것으로, 에폭시 수지-티오알킬술폰산염 또는 에폭시 수지-티오알킬페닐술폰산염 부가물을 경화제 존재하에 가교반응시켜 성막된, 본 발명에 따른 이온교환막은 유연성, 물리적 강도, 내열성 및 내구성이 우수하고 연료 메탄올의 막투과율이 낮아, 직접 메탄올 연료전지에 사용되어 전지의 전기적 성능을 향상시킨다. 본 발명은 물성이 우수한 이온교환막 및 이를 이용한 직접 메탄올 연료전지에 관한 것으로, 에폭시 수지-티오알킬술폰산염 또는 에폭시 수지-티오알킬페닐술폰산염 부가물을 경화제 존재하에 가교반응시켜 성막된, 본 발명에 따른 이온교환막은 유연성, 물리적 강도, 내열성 및 내구성이 우수하고 연료 메탄올의 막투과율이 낮아, 직접 메탄올 연료전지... 
  40. [특허실용] 유기 EL 소자의 발광층용 공액성 고분자-무기물 나노복합체 조성물
  10-2002-0022188  ( 2002.04.23 )  대주전자재료|윤기현  등록  
본 발명은 유기 EL 소자(ORGANIC ELECTROLUMINESCENCE DEVICE)의 발광층 형성에 사용하기 위한 공액성(CONJUGATED) 고분자-무기물 나노 복합체 조성물에 관한 것으로, 본 발명에 따라, 공액성 고분자 또는 고분자 전구체(PRECURSOR) 용액과 미립자 졸(PARTICULATE SOL) 형태의 무기물 용액을 혼합 교반하여 얻은 균질한 복합체 용액은 기재에 코팅후 열처리하여 나노 복합체 박막으로 제조시, 나노 입자들의 응집이 없고 분산성이 향상되어 유기 EL 소자의 장시간 동작 특성을 개선하고, 종래의 졸-겔(SOL-GEL) 방법에서 발생하는 고분자의 공액 길이 감소 문제를 해결하여 고분자와 안정한 복합체를 이루고, 산소와 수분에 약한 고분자의 안정성을 향상시키고, 순수한 고분... 
  41. [특허실용] 리튬을 포함하는 야그계 황색형광체 및 이의 제조방법
  10-2002-0016951  ( 2002.03.28 )  대주전자재료|한국화학연구원  거절  
본 발명은 야그계 황색형광체 및 이의 제조방법에 관한 것으로서, 하기 화학식 1로 표시되는, 본 발명에 따른 야그계 황색형광체는 청색 발광다이오드로부터 발생되는 청색광원 여기 하에서 우수한 발광 휘도를 나타내어 고휘도 백색 발광다이오드에 유용하게 사용될 수 있다:(Y1-a-b-cGdaCebLic)3(Al1-dGad)5O12상기 식에서, 0.5≤a≤0.8, 0.007≤b≤0.025, 0<c≤0.02 및 0<d≤0.5이다

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